Pengganti Sempurna untuk Perangkat Gallium Nitride (GaN) Semikonduktor Super Si

• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• Tidak. Model.: OSS65R340FF TO220F
• industri: lampu led
• Paket Transportasi: udara
• Spesifikasi: top220f
• Merek Dagang: orientsemikonduktor
• Asal: Cina
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20k/bulanan

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Supergy didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor untuk mencapai karakteristik peralihan yang sangat cepat. Tempat ini merupakan pengganti yang sempurna untuk perangkat Gallium NitRide Ride (GN) dalam pengoperasian frekuensi tinggi dengan kekokohan dan biaya yang lebih baik. Sistem catu daya tersebut ditargetkan memenuhi standar efisiensi yang paling agresif dengan mendorong kinerja dan kerapatan daya ke batas yang ekstrem.

Fitur                                                                                                   

• RDS RENDAH(ON) & FOM
• Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan keseragaman unggul
• Desain yang mudah digunakan

Aplikasi

• Pengisi daya PD
• Tampilan layar besar
• Tenaga Telecom
• Server Power

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	700	V
ID, Pulse	36	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	340	mΩ
QG	9.6	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	12	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 100		7.6
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	36	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	12	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	36	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	83	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	200	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.5	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 SBP
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.30	0.34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
			0.73			VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=650 V, VGS=0 V

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		443.5		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			59.6		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		1.7		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		22.4		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Waktu kenaikan	tr		17.5		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		40.3		ns
Waktu turun	tf		7.2		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		2.2		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		4.5		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.5		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=12 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		236.5		ns	VR=400 V, IS=6 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		2.2		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		19.1		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 4 in 2 FR-1 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 MH, memulai Tj=25 C.