RDS Rendah (ON) LED pencahayaan Mosfet

• Certification: RoHS, ISO
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: Medium Power
• Function: Power Triode, Switching Triode
• Tidak. Model.: OSG70R250KSF TO263
• Structure: NPN
• Material: Silicon
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• aplikasi: inverter mobil
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: TO263
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20K/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
GreenMOS®  high voltage  MOSFET  menggunakan  teknologi Charge balance untuk  menghasilkan    pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.   Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi,  memberikan   kinerja perpindahan superior dan  kemampuan longsor yang tangguh.
   Seri GreenMOS® S   dioptimalkan  untuk    karakteristik switching   untuk mencapai    standar EMI yang agresif.    Sistem     catu daya yang lebih kecil mudah digunakan   untuk memenuhi      standar efisiensi dan EMI.

Fitur
.   RDS RENDAH(ON)  &  FOM
.    Pengalihan alat ini sangat rendah
.  Stabilitas dan  keseragaman unggul

Aplikasi
.   Daya PC
.   Lampu LED
.  Tenaga Telecom  
.   Server Power
.   Pengisi Daya EV
.  Solar/UPS

 Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS	700	V
ID,  Pulse	38	A
RDS(ON) ,  MAKS  @ VGS=10V	250	mΩ
QG	39	NC

Menandai  Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG70R250KSF		OSG70R250KS

  Informasi Paket & pin
 

 

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj=25 C  kecuali   dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	700	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini)  , TC= SBP 25	ID	17	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini)  , TC= SBP 100		10.8
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	38	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 )  , TC=25  SBP	ADALAH	17	A
Up diode  berdenyut  2)  , TC=25  SBP	ADALAH , Pulse	38	A
Pembangkang power terhadap 310)  , TC=SBP 25	PD	163	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	243	J
/dt  ketangguhan,=0...640 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 640 V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga  150	SBP

Karakteristik termal

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal,  selubung persambungan	RθJC	0.77	SBP C/W
Tahan termal,  sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj=25 o C  kecuali   dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Pengurasan sumber tegangan kerusakan	BVDSS	700			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Kuras   resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.17	0.25	Ω	VGS=10 V,  ID=8.5 A
			0.44			VGS=10 V,  ID=8.5 A, TJ=150  SBP
Sumber-gerbang kebocoran arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-  100		VGS=-30 V
Pengurasan sumber kebocoran arus	IDS			1	μA	VDS=700 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		9		Ω	ƒ=1  MHz,  Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		1750		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			200		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		13		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		17		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2  Ω, ID=8 A
Waktu kenaikan	tr		14		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		64		ns
Waktu turun	tf		11		ns

Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		39		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=8 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		9		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		15		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.3		V

Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=17 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		294		ns	VR  =400 V, IS=8 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		4		μC
Arus  pemulihan balik puncak	Irrm		25		A

Catatan
1)   menghitung arus kontinu  berdasarkan    suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.  2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh  temperatur persimpangan maks.
3)   Pd   tergantung  pada suhu persimpangan maks. , menggunakan persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)     nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada     4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25  C.
5)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=75  MH, memulai  Tj=25  SBP