Certification: | RoHS, ISO |
---|---|
Encapsulation Structure: | Plastic Sealed Transistor |
Installation: | Plug-in Triode |
Working Frequency: | High Frequency |
Power Level: | Medium Power |
Function: | Power Triode, Switching Triode |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Deskripsi Umum
FSMOS® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang mencapai RDS rendah(ON), LOW gate Charge, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa. Seri Vth yang rendah dioptimalkan secara khusus untuk sistem sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.Parameter | Nilai | Satuan |
VDS | 40 | V |
ID, Pulse | 600 | A |
RDS(ON) MAKS @ VGS=10V | 1.1 | mΩ |
QG | 118.4 | NC |
Nama Produk | Paket | Tanda |
SFS04R01.13UGF | PDFN5 x 6 | SFS04R01.13UG |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Tegangan sumber pengurasan | VDS | 40 | V |
Tegangan sumber gerbang | VGS | ±20 | V |
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 25 | ID | 200 | A |
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP | ID, Pulse | 600 | A |
Diode kontinu maju rcurrenc1), TC=25 | ADALAH | 200 | A |
Up diode berdenyut 2), TC=25 SBP | ADALAH, Denyut | 600 | A |
Pembangkang power terhadap 310), TC=SBP 25 | PD | 178 | W |
Energi tunggal pulsed maka (pulsed). | EAS | 144 | J |
Suhu pengoperasian dan penyimpanan | Tstg,Tj | -55 hingga 175 | SBP |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Tahan termal, selubung persambungan | RθJC | 0.84 | SBP C/W |
Tahan termal, sambungan ambi4) | RθJA | 62 | SBP C/W |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Kuras tegangan kerusakan sumber | BVDSS | 40 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
Tegangan ambang batas gerbang | VGS (th) | 1.2 | 2.5 | V | VDS=VGS, ID=250 ΜA | |
Kuras resistan pada kondisi sumber | RDS(ON) | 0.9 | 1.1 | mΩ | VGS=10 V, ID=20 A | |
Kuras resistan pada kondisi sumber | RDS(ON) | 1.5 | 2.0 | mΩ | VGS=6 V, ID=20 A | |
Arus kebocoran sumber-gerbang | IGSS |
100 | Tidak tersedia |
VGS=20 V | ||
-100 | VGS=-20 V | |||||
Kuras arus kebocoran sumber | IDS | 1 | UA | VDS=40 V, VGS=0 V | ||
Resistansi gerbang | RG | 3.2 | Ω | ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Kapasitansi input | Swiss | 5453 | PF | VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz |
||
Kapasitansi output | 1951 | PF | ||||
Kapasitansi transfer mundur | Lumut | 113 | PF | |||
Aktifkan waktu tunda | td(on) | 23.9 | ns | VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A |
||
Waktu kenaikan | tr | 16.9 | ns | |||
Waktu tunda nonaktifkan | td(off) | 80.4 | ns | |||
Waktu turun | tf | 97.7 | ns |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Total muatan gerbang | QG | 85.6 | NC | VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A, |
||
Pengisian sumber-gerbang | Pg | 17.6 | NC | |||
Pengisian daya kuras gerbang | Qgd | 14.5 | NC | |||
Tegangan Plateau gerbang | Dataran tinggi | 3.6 | V |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Tegangan maju diode | VSD | 1.3 | V | IS=20 A, VGS=0 V | ||
Waktu pemulihan mundur | trr | 71.1 | ns | VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Pengisian daya pemulihan mundur | Qrr | 50.1 | NC | |||
Arus pemulihan balik puncak | Irrm | 1.2 | A |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi