Pengecasan Cepat Ekstra EV Pile DC-DC Topologi LLC Interleaved Daya Tinggi Dioda Pemulihan Cepat Frd Osg60r030hzf To247 Mosfet Daya

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Tidak. Model.: OSG60R030HZF TO247
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Transistor Microwave, Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Transistor ber. Plastik
• Tingkat Daya: Daya sedang
• Bahan: Silikon
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• tipe: stasiun pengisian daya ev cepat
• garansi: 24 bulan
• Paket Transportasi: karton
• Spesifikasi: to247
• Merek Dagang: orientsemikonduktor
• Asal: Cina
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20k/bulanan

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Z diintegrasikan dengan fast recovery diode (FRD) untuk meminimalkan waktu pemulihan mundur. Cocok untuk topologi switching yang resonan untuk mencapai efisiensi yang lebih tinggi, keandalan yang lebih tinggi, dan faktor bentuk yang lebih kecil.

Fitur

• RDS RENDAH(ON) & FOM
• Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan keseragaman unggul
• Diode bak yang ultra cepat dan kokoh

Aplikasi                                                                                             

• Daya PC
• Tenaga Telecom
• Server Power
• Pengisi Daya EV
• Penggerak motor

Parameter Kinerja Utama
 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	650	V
ID, Pulse	240	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	30	mΩ
QG	178	NC

Menandai Informasi
 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG60R030HZF	TO247	OSG60R030HZ

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	240	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	80	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	240	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	480	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	2500	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.26	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA,
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		0.028	0.030	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.058			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			10	μA	VDS=600 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.1		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		9343		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			708		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		15		PF
Kapasitansi output efektif, dan berkaitan dengan energi	Co		345		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Kapasitansi output efektif, berkaitan dengan waktu	Co(tr)		1913		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		52.1		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		105.2		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		125.7		ns
Waktu turun	tf		4.1		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		177.9		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		37.4		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		78.4		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.2		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.4	V	IS=80 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		186.6		ns	IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1.6		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		15.4		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, memulai Tj=25 C.