| Spesifikasi |
Tipe: sensor debu laser;
Tipe sinyal Output: Tipe Digital;
Bahan: Logam;
Disesuaikan: Tidak disesuaikan;
nama produk: sensor pm;
jenis deteksi: pm2.5,pm10,pm1.0 (μg/m³);
aplikasi: sekolah, rumah, pabrik;
measure range (ukur rentang): 0~1000μG/M³;
tegangan pengoperasian: dc 5v±0.1v;
arus operasi: ≤100ma (@5v catu daya);
waktu stabilitas: ≤8s;
resolusi: 1ug/m3;
metode keluaran: output uart bawaan;
rentang kehidupan: >40,000 jam (operasi terus menerus);
frekuensi deteksi: sekali per detik (default);
|
Tipe: melalui sensor fotoelektrik sinar beam;
Tipe sinyal Output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
Proses produksi: Kumparan Normal;
Bahan: pc+abs;
Fitur ini: Semikonduktor;
Peringkat IP: IP65;
Disesuaikan: Tidak disesuaikan;
panjang gelombang sumber cahaya: 850 nm;
sirkuit pelindung: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
berat kemasan kotor: 0.500 kg;
ketahanan terhadap cahaya sekitar: sinar matahari: max.60000lux; lampu pijar: max.300;
tipe output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
cara-cara hukuman: pilih mode terang/gelap berdasarkan model;
sirkuit pengaman: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
|
Tipe: melalui sensor fotoelektrik sinar beam;
Tipe sinyal Output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
Proses produksi: Kumparan Normal;
Bahan: pc+abs;
Fitur ini: Semikonduktor;
Peringkat IP: IP65;
Disesuaikan: Tidak disesuaikan;
panjang gelombang sumber cahaya: 850 nm;
sirkuit pelindung: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
berat kemasan kotor: 0.500 kg;
ketahanan terhadap cahaya sekitar: sinar matahari: max.60000lux; lampu pijar: max.300;
tipe output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
cara-cara hukuman: pilih mode terang/gelap berdasarkan model;
sirkuit pengaman: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
|
Tipe: melalui sensor fotoelektrik sinar beam;
Tipe sinyal Output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
Proses produksi: Kumparan Normal;
Bahan: pc+abs;
Fitur ini: Semikonduktor;
Peringkat IP: IP65;
Disesuaikan: Tidak disesuaikan;
panjang gelombang sumber cahaya: 850 nm;
sirkuit pelindung: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
berat kemasan kotor: 0.500 kg;
ketahanan terhadap cahaya sekitar: sinar matahari: max.60000lux; lampu pijar: max.300;
tipe output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
cara-cara hukuman: pilih mode terang/gelap berdasarkan model;
sirkuit pengaman: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
|
Tipe: melalui sensor fotoelektrik sinar beam;
Tipe sinyal Output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
Proses produksi: Kumparan Normal;
Bahan: pc+abs;
Fitur ini: Semikonduktor;
Peringkat IP: IP65;
Disesuaikan: Tidak disesuaikan;
panjang gelombang sumber cahaya: 850 nm;
sirkuit pelindung: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
berat kemasan kotor: 0.500 kg;
ketahanan terhadap cahaya sekitar: sinar matahari: max.60000lux; lampu pijar: max.300;
tipe output: keluaran transistor, kolektor terbuka, berbasis npn/pnp o;
cara-cara hukuman: pilih mode terang/gelap berdasarkan model;
sirkuit pengaman: perlindungan polaritas terbalik, perlindungan hubung singkat;
|