ZG

• Struktur Enkapsulasi: Transistor ber. Plastik
• Aplikasi: Produk Elektronik
• Sertifikasi: RoHS, CE, ISO
• Intensitas bercahaya: Standar
• Warna: Grey,Black
• Struktur: Mbs,Mbm,DBS,dB,Wob,RS-2,Gbj2,Kbpc1,Kbp,Kbl,Gbj4
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: by Sea, Packaging in Cartons
• Spesifikasi: MBS,MBM,DBS,DB,WOB,RS-2,GBJ2,KBPC1,KBP,KBL,GBJ4
• Merek Dagang: ZG Brand
• Asal: Anhui Province, China
• Kode HS: 8541100000
• Kapasitas Produksi: 9000000000000

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

 

Foto detail

Profesional

Profil Perusahaan

 

Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd  . Didirikan pada tahun 2010 dan mencakup area seluas 20000 meter persegi yang terletak  di Provinsi Anhui dekat Shanghai. Perusahaan kami berfokus pada pengembangan dan produksi diode, diode rectifier, dan nyamuk bergaris tengah, diode schottky, diode pemulihan cepat,  12.080, silikon wafer, dll. Misi kami adalah pemasok semikonduktor yang paling berharga di samping Anda. Selamat datang di tempat untuk menghubungi kami untuk hubungan bisnis di masa mendatang dan keberhasilan bersama.

	Simbol	MB2M	MB4M	MB6M	MB8M	MB10M	Satuan
Mundur puncak berulang maksimum tegangan	VRMM	200	400	600	800	1000	Volt
Tegangan RMS maksimum	VRMS	140	280	420	560	700	Volt
Tegangan blok DC maksimum	VDC	200	400	600	800	1000	Volt
Arus maju rata-rata maksimum di TA=30  pada epoksi kaca P.B. Pada substrat aluminium(Catatan 1,2)	IF (AV)	0.8					Ams
Arus lonjakan Arus Bolak-balik Normal setengah Gelombang Sinus Super dibebankan pada Beban Tetapan (metode JEDEC)	IFSM	30.0					Ams
Tegangan maju maksimum pada 0,4A	VF	1.1					Volt
Mundurkan  arus DC maksimal TA=25 Pada voltase DC terukur  TA=100	IR	5.0 100					μA
Kapasitansi per kaki yang khas (Catatan 3)	CJ	15.0					PF
Resistan termal yang umum per kaki	RθJA	75.0					/W
Rentang suhu Operasi	TJ	-55 hingga +150
Rentang suhu Penyimpanan	TSTG	-55 hingga +150