Teknologi Produksi: | Perangkat diskret |
---|---|
Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipe: | P-jenis Semikonduktor |
Paket: | to-220f |
Aplikasi: | Power Switching Applications |
Contoh: | F8n50 |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
PARAMETER | SIMBOL | NILAI | SATUAN | |
F8N50
|
||||
Tegangan Drian-ke-Sumber | 500 | V | ||
Tegangan gate-ke-Sumber | VGSS | ±30 | V | |
Arus kuras(kontinu) | ID(T=25) | 8 | A | |
(T=100) | 5 | A | ||
Arus kuras(Denyut) | IDM | 32 | A | |
Energi Avalanche Denyut Tunggal | EAS | 440 | J | |
Disipasi Total | TA=25 | Ptot | 2 | W |
TC=25 | Ptot | 100 | W | |
Suhu Persimpangan | TJ | -55150 -5 -150 -5 -1 | ||
Suhu Penyimpanan | Tstg | -55150 -5 -150 -5 -1 |
Fitur |
Pengalihan Cepat |
Resistan rendah |
Kapsul Balik Rendah |
Biaya gapura rendah (Typ: 24nC)
|
Tes Energi Tunggal 100% |
100% ΔVDS Uji |
Aplikasi |
Digunakan di berbagai sirkuit pengalihan daya untuk sistem
miniaturisasi dan efisiensi yang lebih tinggi.
|
Sirkuit sakelar daya ballast dan adaptor elektron.
|
Spesifikasi Produk dan Model Kemasan | |||||
Model Produk | Tipe Paket | Mark Name (Nama Tanda) | RoHS | Paket | Kuantitas |
F8N50
|
TO-220F |
F8N50
|
Bebas-Pb | PIPA | 1000/kotak |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi