Teknologi Produksi: | Perangkat diskret |
---|---|
Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipe: | N-type Semiconductor |
Paket: | to-220c |
Aplikasi: | Power Switching |
Contoh: | DSG019n04L |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
PARAMETER | SIMBOL | NILAI | SATUAN | |
Tegangan Drian-Source | 40 | V | ||
Tegangan Sumber gate | VGSS | ±20 | V | |
Arus kuras(kontinu) | ID(T=25) | 261 | A | |
(T=100) | 180 | A | ||
Arus kuras(Denyut) | IDM | 720 | A | |
Energi Avalanche Denyut Tunggal | EAS | 900 | J | |
Disipasi Total | TA=25 | Ptot | 2.3 | W |
TC=25 | Ptot | 200 | W | |
Suhu Persimpangan | TJ | -55175 | ||
Suhu Penyimpanan | Tstg | -55175 |
Fitur |
RDS dengan sangat rendah(ON)
|
Kapsul Balik Rendah |
Tes Energi Tunggal 100% |
100% ΔVDS Uji |
Penyepuhan bebas-Pb/Halogen yang Bebas/RoHS yang memperkaya
|
Aplikasi |
Perbaikan sinkron di SMPS
|
Pengisi Daya/ Didcharge untuk Battery Management System
|
Kontrol motor dan penggerak
|
Spesifikasi Produk dan Model Kemasan | |||||
Model Produk | Tipe Paket | Mark Name (Nama Tanda) | RoHS | Paket | Kuantitas |
DSG019N04L
|
TO-220C |
DSG019N04L
|
Bebas-Pb | PIPA | 1000/kotak |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi