Teknologi Produksi: | Perangkat diskret |
---|---|
Material: | Silicon |
Tipe: | N-type Semiconductor |
Paket: | to-3pn |
Aplikasi: | Welding, UPS |
Contoh: | Dgn40f65m2 |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
PARAMETER | SIMBOL | PERINGKAT | SATUAN | ||
Tegangan Kolektor-emitter | VCES | 650 | V | ||
Gate- Tegangan Pengeluar | BIAYA | ±30 | V | ||
Arus Kolektor | IC(T=25) | 80 | A | ||
Arus Kolektor | (TC=100) | 40 | A | ||
Arus Kolektor Denyut | ICM | 160 | A | ||
Arus Maju Kontinu | JIKA @TC = 100 SBP | 40 | A | ||
Arus Denyut Diode |
IFM
|
160 | A | ||
Disipasi Total | TC=25 |
Ptot
|
280 | W | |
TC=100 DERAJAT CELCIUS |
Ptot
|
140 | W | ||
Suhu Persimpangan | TJ | -45175 | |||
Suhu Penyimpanan | Tstg | -45175 |
Fitur |
Teknologi parit FS, temperatur positif
koefisien
|
Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), umum = 1,9V
@ IC =30A dan Tj = 25 derajat C
|
Kemampuan longsor yang sangat luar biasa
|
Aplikasi |
Pengelasan |
Inverter tiga level |
UPS |
Spesifikasi Produk dan Model Kemasan | |||||
Model Produk | Tipe Paket | Mark Name (Nama Tanda) | RoHS | Paket | Kuantitas |
DGN40F65M2
|
TO-3PN |
DGN40F65M2
|
Bebas-Pb | PIPA | 1000/kotak |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi