400A 650V Modul Jembatan Setengah Dgd400h65m2t

• Kustomisasi: Tersedia
• Aplikasi: pengelasan, naik, inverter tiga tali
• Nomor Batch: 2025
• Tidak. Model.: DGD400H65M2T
• Sertifikasi: RoHS
• Teknologi Manufaktur: Perangkat Diskrit
• Bahan: semikonduktor logam-oksida
• Model: Dgd400h65m2t
• Paket: ekal3
• Jenis: Semikonduktor Tipe N
• merek: wxdh
• Paket Transportasi: kotak
• Merek Dagang: wxdh
• Asal: Wuxi, China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: 500000000 potong/tahun

Deskripsi Produk

 
1 Deskripsi

Gerbang bipolar Insulated Transistor digunakan selokan maju

Desain teknologi lapangan kerja, menyediakan VCEsat dan switching yang luar biasa

kecepatan, muatan pintu rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS

Fitur

Teknologi parit FS, temperatur positif
koefisien

Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), typ = 1,43V
@ IC =400A dan Tj = 25 derajat C

Kemampuan longsor yang sangat luar biasa

Aplikasi

Pengelasan

UPS

Inverter 3-leave

Amplifier penggerak servo AC dan DC

 

Tipe	VCE	IC	VCAT, Tj=25	Tjp	Paket
DGD400H65M2T	650V	400A (Tj=100)	1,43V (Tip)	175,2 C	MD

Karakteristik kelistrikan
5.1Menin Maksimum Peringkat (IGBT) (TC=25, kecuali jika dinyatakan lain)

PARAMETER			SIMBOL	NILAI		SATUAN
Pengumpul Tegangan untuk emitter			VCE	650		V
Tegangan gate-ke-emitter			VGE	±25		V
Arus Pengumpul DC			IC  Tj=100tercelcius	400		A
Arus Kolektor Denyut #1			ICM	800		A

 

Peringkat Maksimum mutlak 5.2 (Diode) (TC=25, kecuali jika ditentukan sebaliknya)

PARAMETER			SIMBOL	NILAI		SATUAN
Puncak Reverse Voltage (voltase Mundur berulang Puncak)			VRRM	650		V
Tegangan blok DC			VR	650		V
Rata-rata saat Teruskan diperbarui			IF (AV)	400		A
Arus lonjakan Puncak berulang			IFRM	800		A

Modul 5,53IGBT

PARAMETER			SIMBOL	NILAI		SATUAN
Rentang suhu Persimpangan			TjMAX	-40175
Suhu Persimpangan Operasi			Tjp	-40150 -150 -40 -40 -40 -40
Rentang suhu Penyimpanan			Tstg	-40120 -
Isolasi Tegangan RMS,f=50Hz,t=1mnt			VISO	4000		A

5,4karakteristik Termal (Modul IGBT)

PARAMETER						SIMBOL	NILAI		SATUAN
Thermal resistance Junction ke Kasus						IGBT RCI	0.115		/W
						Diode RthJC	0.25		/W