Teknologi Produksi: | Perangkat diskret |
---|---|
Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipe: | N-type Semiconductor |
Paket: | to-251b |
Aplikasi: | Power Switching Applications |
Contoh: | Dhbsj5n65 |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
PARAMETER | SIMBOL | NILAI | SATUAN | ||
Tegangan Drian-ke-Sumber | 650 | V | |||
Tegangan gate-ke-Drian | VGSS | ±20 | V | ||
Arus kuras(kontinu) | ID(T=25) | 4.8 | A | ||
(T=100) | 3.0 | A | |||
Arus kuras(Denyut) | IDM | 14.4 | A | ||
Energi Avalanche Denyut Tunggal | EAS | 43 | J | ||
Disipasi Total | TA=25 | Ptot | 2 | W | |
TC=25 | Ptot | 50 | W | ||
Suhu Persimpangan | TJ | -55150 -5 -150 -5 -1 | |||
Suhu Penyimpanan | Tstg | -55150 -5 -150 -5 -1 |
Fitur |
Pengalihan Cepat |
Resistan rendah |
Pengisian Gerbang Rendah |
Kapsul Balik Rendah |
Tes Energi Tunggal 100% |
100% ΔVDS Uji |
Aplikasi |
Catu daya mode alih (SMPS).
|
Daya TV & Daya Lampu LED
|
Konverter AC ke DC
|
Telekomunikasi
|
Spesifikasi Produk dan Model Kemasan | |||||
Model Produk | Tipe Paket | Mark Name (Nama Tanda) | RoHS | Paket | Kuantitas |
DHBSJ5N65
|
TO-251B |
DHBSJ5N65
|
Bebas-Pb | TEEL | 3000/kotak |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi