12A 100V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh1K1n10b to-251b

• Teknologi Produksi: Perangkat diskret
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Tipe: N-type Semiconductor
• Paket: to-251b
• Aplikasi: Power Supply
• Contoh: Dh1K1n10b
• Tidak. Model.: DH1K1N10B
• Nomor Batch: 2021
• Merek: Wxdh
• tegangan: 100v
• saat ini: 12A
• Paket Transportasi: Tape & Reel
• Merek Dagang: WXDH
• Asal: Wuxi, China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: 500000000 Pieces/Year

Deskripsi Produk

PARAMETER		SIMBOL	NILAI			SATUAN
			DH1N10/ DH1N10E	DH1N10B/ DH1N10D	DH1N10F
Tegangan Drian-ke-Sumber			100			V
Tegangan gate-ke-Sumber		VGSS	±20			V
Arus kuras(kontinu)		ID(T=25)	12			A
		(T=100)	8.5			A
Arus kuras(Denyut)		IDM	49			A
Energi Avalanche Denyut Tunggal		EAS	30			J
Disipasi Total	TA=25	Ptot	2	1.25	2	W
	TC=25	Ptot	40	25	15	W
Suhu Persimpangan		TJ	-55175
Suhu Penyimpanan		Tstg	-55175

 

Fitur

Perpindahan cepat

Resistan rendah

Pengisian Gerbang Rendah

Kapsul Balik Rendah

Tes Energi Tunggal 100%

100% ΔVDS Uji

Aplikasi

Aplikasi peralihan daya

Sistem manajemen inverter

Alat listrik

Elektronik otomotif

 

Spesifikasi Produk dan Model Kemasan
Model Produk	Tipe Paket	Mark Name (Nama Tanda)	RoHS	Paket	Kuantitas
DH1N10	TO-220	DH1N10	Bebas-Pb	Tabung	1000/kotak
DH1N10F	TO-220F	DH1N10F	Bebas-Pb	Tabung	1000/kotak
DH1N10B	TO-251B	DH1N10B	Bebas-Pb	Tabung	3000/kotak
DH1N10D	KE-252B	DH1N10D	Bebas-Pb	Pita & gulungan	5000/kotak
DH1N10E	TO-263	DH1N10E	Bebas-Pb	Pita & gulungan	800/kotak