tegangan: | 650V |
---|---|
saat ini: | 11A |
teknologi manufaktur: | perangkat diskret |
tipe: | jenis semikonduktor n-tipe |
material: | semikonduktor logam-oksida |
paket: | to-263 |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
PARAMETER | SIMBOL | NILAI | SATUAN | ||
DHSJ11N65//DHISJ11N65/DHESJ11N65/DHBSJ1165/DHDSDASAR | DHJ11N65 | ||||
Tegangan Drian-ke-Sumber | 650 | V | |||
Tegangan gate-ke-Sumber | VGSS | ±30 | V | ||
Arus kuras(kontinu) | ID(T=25) | 11 | A | ||
(T=100) | 7 | A | |||
Arus kuras(Denyut) | IDM | 33 | A | ||
Energi Avalanche Denyut Tunggal | EAS | 280 | J | ||
Disipasi Total | TA=25 | Ptot | 2 | 2 | W |
TC=25 | Ptot | 121 | 32.7 | W | |
Suhu Persimpangan | TJ | -55150 -5 -150 -5 -1 | |||
Suhu Penyimpanan | Tstg | -55150 -5 -150 -5 -1 |
Fitur |
Kehilangan sakelar rendah |
Resistan rendah |
Pengisian Gerbang Rendah |
Kapsul Balik Rendah |
Tes Energi Tunggal 100% |
100% ΔVDS Uji |
Aplikasi |
Power factor correction(PFC). |
Catu daya mode alih (SMPS). |
Uninterruptible power supply (UPS). |
Spesifikasi Produk dan Model Kemasan | |||||
Model Produk | Tipe Paket | Mark Name (Nama Tanda) | RoHS | Paket | Kuantitas |
DHSJ11N65 | TO-220 | DHSJ11N65 | Bebas-Pb | Tabung | 1000/kotak |
DHJ11N65 | TO-220F | DHJ11N65 | Bebas-Pb | Tabung | 1000/kotak |
DHBSJ11N65 | TO-251 | DHBSJ11N65 | Bebas-Pb | Tabung | 3000/kotak |
DHDSJ11N65 | TO-252 | DHDSJ11N65 | Bebas-Pb | Pita & gulungan | 2500/kotak |
DHISJ11N65 | TO-262 | DHISJ11N65 | Bebas-Pb | Tabung | 1000/kotak |
DHESJ11N65 | TO-263 | DHESJ11N65 | Bebas-Pb | Pita & gulungan | 800/kotak |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi