Manufacturing Technology: | Discrete Device |
---|---|
Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-220f-2L |
Application: | Switching Power Supply |
Model: | Murf10fu60 |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Fitur |
Daya mati rendah, |
Tegangan maju Rendah efisiensi Tinggi, |
Kemampuan arus tinggi Kapasitas lonjakan arus tinggi |
Waktu pemulihan super cepat |
tegangan tinggi |
Aplikasi |
Mengalihkan Catu Daya |
Sirkuit Power Switching |
Tujuan Umum |
PARAMETER | SIMBOL | NILAI | SATUAN | ||
Puncak Reverse Voltage (voltase Mundur berulang Puncak) | VRRM | 600 | V | ||
Mengusahakan Tegangan Mundur Puncak | VRWM (VRWM) | 600 | V | ||
Tegangan blok DC | VR | 600 | V | ||
Rata-rata saat Teruskan yang diperbaiki (tunggal) | IF (AV) | 10 | A | ||
Arus lonjakan Puncak berulang | IFRM | 15 | A | ||
Arus lonjakan Puncak tidak berulang | t=8,3ms | IFSM | 100 | A | |
Energi longsor(tunggal) | L=1mH | EAS | 15 | J | |
Suhu Persimpangan | TJ | -55150 -5 -150 -5 -1 | |||
Suhu Penyimpanan | Tstg | -55150 -5 -150 -5 -1 |
Spesifikasi Produk dan Model Kemasan | |||||
Model Produk | Tipe Paket | Mark Name (Nama Tanda) | RoHS | Paket | Kuantitas |
MURF10F60
|
TO-220F |
MURF10F60
|
Bebas-Pb | Tabung | 1000/kotak |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi