Tipe Memori: | DDR3 |
---|---|
Aplikasi: | Desktop |
Kapasitas Memori: | 4G |
Frequency (Frekuensi): | 1600MHz |
Pin: | 240 |
Mode Operasi: | SDRAM |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
DDR3 RAM 4GB 1600MHz PC3-12800 1.5 V PC Desktop DIMM Memori RAM 240-pin
Nama merek | DDR RAM |
Jenis antarmuka | DDR,DDR2,DDR3,DDR4,DDR5 |
Kecepatan Memori | 800mhz/1333mhz/1600mhz/2400mhz/2666mhz/3200mhz |
Tegangan | 1,2V/1,35V/1,5V/1,8 V |
Memori chip | Samsung,Micron, Intel, dsb |
Aplikasi | Desktop/laptop |
Kapasitas RAM | 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB |
Ketentuan pengiriman | DHL, UPS, TNT, EMS, FedEx atau laut |
Waktu tunggu | Bawah 1K: 3-5 hari, di atas 1K-5K yang mengonfirmasi dengan kami |
Kemasan normal | Kotak blister atau hard box 50pcs/box |
Dimensi | 133*31*1,5 mm |
Berat | 12g/pcs |
Kinerja | |
Pembacaan yang diteruskan: | Hingga 520MB/s. |
Penulisan jangka panjang: | Hingga 400MB/s. |
4KB Pembacaan Acak: | Sampai IOPS 7400.000 |
Penulisan Acak 4KB: | Hingga 6300 IOPS |
Waktu Akses Rata-rata: | 0,1 |
Karakteristik kelistrikan | |
Suhu Operasi: | 0 85 DERAJAT C |
Voltase Pengoperasian: | 1,2V/1,35V/1,5V/1,8 V |
DDR3 (Double Data Rate 3) adalah generasi ketiga teknologi memori akses acak dinamis (SDRAM) sinkron yang menawarkan beberapa karakteristik utama:
Bandwidth dan Kecepatan yang ditingkatkan: DDR3 menyediakan tingkat kecepatan transfer data yang lebih cepat dibandingkan DDR2. Sistem ini biasanya beroperasi pada kecepatan yang berkisar dari 800 MT/s hingga 2133 MT/s.. Peningkatan kecepatan ini berarti performa yang lebih baik untuk aplikasi yang memerlukan bandwidth memori yang tinggi.
Konsumsi Daya lebih Rendah: DDR3 beroperasi pada tegangan lebih rendah (standar 1,5V, dengan voltase rendah pada 1,35V dan 1,25V) dibandingkan dengan DDR2 1,8V. Pengurangan tegangan ini menghasilkan konsumsi daya dan pembentukan panas yang lebih rendah, sehingga lebih efisien dan cocok untuk aplikasi mobile dan hemat energi.
Kerapatan lebih Tinggi: DDR3 mendukung kapasitas memori yang lebih besar per modul, dengan kapasitas bersama berkisar dari 1 GB hingga 16 GB per DIMM. Ini memungkinkan sistem menangani beban kerja yang lebih besar dan aplikasi yang lebih berat.
Latensi yang ditingkatkan: Meskipun DDR3 memiliki latensi yang sedikit lebih tinggi dibandingkan DDR2, kecepatan yang meningkat mengimbangi hal ini, sehingga keseluruhan kinerja yang lebih baik. Latensi CAS tipikal (CL) untuk rentang DDR3 dari 9 hingga 15.
Buffer Aetching 8-bit: DDR3 menggunakan arsitektur etching definisi etching 8n, yang berarti dapat mentransfer 8 bit data per siklus jam per pin data. Perbaikan terhadap etching 4-bit DDR2 ini mendukung kecepatan transfer data yang lebih tinggi dan peningkatan kinerja secara keseluruhan.
Integrasi sinyal yang lebih baik: DDR3 menggunakan topologi perintah dan sinyal alamat, yang membantu meningkatkan integritas dan pengaturan waktu sinyal. Desain ini mengurangi kompleksitas routing jejak motherboard dan meningkatkan stabilitas sistem secara keseluruhan.
Kompatibilitas Mundur: DDR3 tidak kompatibel dengan DDR2 karena konfigurasi pin yang berbeda, tegangan pensinyalan, dan perbedaan listrik lainnya. Namun, penyempurnaan desain ini menawarkan keuntungan signifikan dalam kinerja dan efisiensi.
Berikut adalah spesifikasi dan parameter utama memori DDR3 (Double Data Rate 3):
Laju Transfer Data:
Kapasitas Memori:
Voltase:
Panjang Burst:
Latensi:
Modul dan jumlah pin:
Bandwidth:
Konsumsi Daya:
Koreksi kesalahan:
Kecepatan Pembaruan:
FAQ
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi