TTK10A80E,S4X MOSFET N-CH 800V SIS

• bentuk: Rata
• Jenis konduktif: Bipolar Sirkuit Terintegrasi
• Integrasi: MSIC
• Teknik: Semiconductor IC
• mfg.: toshiba
• d/c: 22+
• Tidak. Model.: TK10A80E,S4X
• paket: untuk-220sis
• kualitas: asli baru
• Paket Transportasi: Kotak
• Asal: Cina
• Kode HS: 8542399000
• Kapasitas Produksi: 1000000PCS

Deskripsi Produk

Deskripsi

TK10A80E,S4X : N-Channel 800 V 10A (Ta) 50W (TC) hingga lubang 220-SIS

Mfr. Bagian#:  TK10A80E,S4X

Mfr.: TOSHIBA

Lembar data:  (Email atau obrolan kami untuk file PDF)

Status ROHS:  

Kualitas: 100% asli

Garansi: SATU TAHUN

 

Status Produk	Aktif
Jenis FET	N-Saluran
Teknologi	MOSFET (Logam Oksida)
Kuras ke Tegangan Sumber (Vss)	800 V.
Arus - pengurasan kontinu (ID) @ 25 C	10A (Ta)
Tegangan Penggerak (RDS maks ON, RDS min ON)	10 V.
RDS hidup (Maks) @ ID, Vg	1Ohm @ 5A, 10V
Vg(th) (Maks) @ ID	4V @ 1mA
Gate Charge (QG) (Max) @ Vg	46 NC @ 10 V
Vg (Maks)	±30V
Kapasitansi Input (Cats) (Maks) @ Vd	2000 pF @ 25 V
Fitur FET	-
Disipasi Daya (Maks)	50W (TC)
Suhu Pengoperasian	150 DERAJAT C (TJ)
Tipe Pemasangan	Hole
Paket Perangkat Pemasok	KE-220SIS
Paket / kotak	Paket penuh TO-220-3
Nomor Produk Dasar	TK10A80

Aplikasi • regulator Tegangan Sakelar

Dilengkapi (1) resistan on-source kuras rendah: RDS(ON) = 0.7 Ω (tipe.) (2) Arus kebocoran Rendah : IDSS = 10 µA (maks) (VDS = 640 V) (3) mode peningkatan: Vth = 2.5 hingga 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 

 

Mengapa memilih kami

• Terletak di Shenzhen, pusat pasar elektronik di Cina.
• 100% menjamin kualitas komponen: Asli.
• Stok tersedia atas permintaan Anda.
• Kolega yang canggih membantu Anda mengatasi masalah untuk mengurangi risiko Anda dengan produksi on-demand
• Pengiriman yang lebih cepat: Komponen stok dapat dikirimkan pada hari yang sama.
• Layanan 24 jam  

 

Perhatikan:

1. Gambar produk hanya untuk referensi.
2. Anda dapat menghubungi bagian penjualan untuk mengajukan permohonan harga yang lebih baik.
3.  Untuk produk lainnya, Pls tidak ragu untuk menghubungi tim Sales kami.