SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A-3

• bentuk: Rata
• Jenis konduktif: Bipolar Sirkuit Terintegrasi
• Integrasi: MSIC
• Teknik: Semiconductor IC
• mfg.: mata pisau dihajar
• d/c: 22+
• Tidak. Model.: SI2309CDS-T1-GE3
• paket: sot23-3
• kualitas: asli baru
• Paket Transportasi: Box
• Asal: China
• Kode HS: 8542399000
• Kapasitas Produksi: 1000000PCS

Deskripsi Produk

Deskripsi

SI2309CDS-T1-GE3 :  P-Channel 60 V 1,6A (TC) 1W (Ta), Permukaan 1,7W (TC) Mount SOT-23-3 (TO-236)

Mfr. BAGIAN#: SI2309CDS-T1-GE3

Mfr.: VISHAY

Lembar data:  (Email atau obrolan kami untuk file PDF)

Status ROHS:  

Kualitas: 100% asli

Garansi: SATU TAHUN
 

 

Status Produk	Aktif
Jenis FET	Saluran P.
Teknologi	MOSFET (Logam Oksida)
Kuras ke Tegangan Sumber (Vss)	60 V.
Arus - pengurasan kontinu (ID) @ 25 C	1,6A (TC)
Tegangan Penggerak (RDS maks ON, RDS min ON)	4,5V, 10V
RDS hidup (Maks) @ ID, Vg	345mOhm @ 1,25A, 10V
Vg(th) (Maks) @ ID	3V @ 250µA
Gate Charge (QG) (Max) @ Vg	4.1 NC @ 4.5 V
Vg (Maks)	±20V
Kapasitansi Input (Cats) (Maks) @ Vd	210 pF @ 30 V
Fitur FET	-
Disipasi Daya (Maks)	1W (Ta), 1,7W (TC)
Suhu Pengoperasian	-20 - 55 150 C (TJ)
Tipe Pemasangan	Pemasangan Permukaan
Paket Perangkat Pemasok	-23-3 (HINGGA-236)
Paket / kotak	UNTUK-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nomor Produk Dasar	SI2309

FITUR • Opsi bebas halogen •®

APLIKASI • Sakelar Beban

 

 

Mengapa memilih kami

• Terletak di Shenzhen, pusat pasar elektronik di Cina.
• 100% menjamin kualitas komponen: Asli.
• Stok tersedia atas permintaan Anda.
• Kolega yang canggih membantu Anda mengatasi masalah untuk mengurangi risiko Anda dengan produksi on-demand
• Pengiriman yang lebih cepat: Komponen stok dapat dikirimkan pada hari yang sama.
• Layanan 24 jam  

 

Perhatikan:

1. Gambar produk hanya untuk referensi.
2. Anda dapat menghubungi bagian penjualan untuk mengajukan permohonan harga yang lebih baik.
3.  Untuk produk lainnya, Pls tidak ragu untuk menghubungi tim Sales kami.