AONR21357 TRANS MOSFET P-CH 30V 21A

• bentuk: hqfp64
• Jenis konduktif: Bipolar Sirkuit Terintegrasi
• Integrasi: MSIC
• Teknik: Semiconductor IC
• mfg.: aos
• d/c: 22+
• Tidak. Model.: AONR21357
• paket: dfn8
• kualitas: asli baru
• Paket Transportasi: Box
• Asal: China
• Kode HS: 8542390000
• Kapasitas Produksi: 1000000PCS

Deskripsi Produk

Deskripsi

AONR21357:   P-Channel 30 V 21A (Ta), 34A (TC) 5W (Ta), 30W (TC) Permukaan Mount 8-DFN-EP) (3x3)

Mfr. Bagian#: AONR21357

MFR.: AOS

Lembar data:  (Email atau obrolan kami untuk file PDF)

Status ROHS:  

Kualitas: 100% asli

Garansi: SATU TAHUN

 

Status Produk	Aktif
Jenis FET	Saluran P.
Teknologi	MOSFET (Logam Oksida)
Kuras ke Tegangan Sumber (Vss)	30 V.
Arus - pengurasan kontinu (ID) @ 25 C	21A (Ta), 34A (TC)
Tegangan Penggerak (RDS maks ON, RDS min ON)	4,5V, 10V
RDS hidup (Maks) @ ID, Vg	7,8mOhm @ 20A, 10V
Vg(th) (Maks) @ ID	2.3V @ 250µA
Gate Charge (QG) (Max) @ Vg	70 NC @ 10 V
Vg (Maks)	±25V
Kapasitansi Input (Cats) (Maks) @ Vd	2830 pF @ 15 V
Fitur FET	-
Disipasi Daya (Maks)	5W (Ta), 30W (TC)
Suhu Pengoperasian	-20 - 55 150 C (TJ)
Tipe Pemasangan	Pemasangan Permukaan
Paket Perangkat Pemasok	8-DFN-EP (3x3)
Paket / kotak	8-PowerVDFN
Nomor Produk Dasar	AONR213

DESKRIPSI
• Teknologi selokan terkini
• RDS Rendah(ON)
• kemampuan arus tinggi
• kompatibel dengan RoHS dan Halogen

APLIKASI
• Notebook sakelar beban AC-in
• Pengisian/pengosongan perlindungan baterai

 

Mengapa memilih kami

• Terletak di Shenzhen, pusat pasar elektronik di Cina.
• 100% menjamin kualitas komponen: Asli.
• Stok tersedia atas permintaan Anda.
• Kolega yang canggih membantu Anda mengatasi masalah untuk mengurangi risiko Anda dengan produksi on-demand
• Pengiriman yang lebih cepat: Komponen stok dapat dikirimkan pada hari yang sama.
• Layanan 24 jam  

 

Perhatikan:

1. Gambar produk hanya untuk referensi.
2. Anda dapat menghubungi bagian penjualan untuk mengajukan permohonan harga yang lebih baik.
3.  Untuk produk lainnya, Pls tidak ragu untuk menghubungi tim Sales kami.