Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
---|---|
Material: | Element Semiconductor |
Type: | Silicon Wafer G1, M6 Wafer |
Package: | Customize as Per Demand |
Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
Application: | Temperature Measurment & Optics Applying |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Parameter teknis tingkat diode chip kristal tunggal 3 inci |
Parameter teknis tingkat diode chip kristal tunggal 4 inci |
1 Ukuran Dia 1.1 Wafer Silikon. :76.2 +/- 0,4 mm 1.2 tekukan: ≤0,035mm 1.3 Toleransi ketebalan :≤0.03 mm 1.4 tahun untuk tahun 2000 Garis diagonal persegi dalam film adalah sama Toleransi :+/-0,5mm 2. Data Teknis 2.1 Parameter konduktif :N jenis 2.2 resisbian :5-6OΩ .cm atau disesuaikan 2.3 masa Pakai Kurir-Operator: ≥100 μ 2.4 kandungan oksigen : <1.0 berhasil membuat k18atom/cm3 2.5 Konten karbon : <5.0 x 1016atom/cm3 2.6 Crystal Orientation : 111± 1.50 2.7 kerapatan lokasi : ≤3000pcs /cm3 2.8 Ketebalan:280-305μm |
1.Ukuran Dia Wafer Silikon: 100±0,5mm 1.1 1.2 TTV: 0.005μm 1.3 tekukan: ≤0,030mm 2.Data Teknis 2.1 resisbian: 5-60Ω.cm atau disesuaikan 2.2 Parameter konduktif: N Tipe 2.3 masa Pakai Kurir-Carrier: ≥100μs Tambah jumlah oksigen pada 2.4: 1 Tambah bintik di bintik-bintik pada 1018atom/ cm3 5 Isi karbon: Halaman penukar ASCII <2.5 penukar ASCII/ cm3 2.6 arah Crystal: 111±1.5 |
Parameter teknis kristal tunggal 6 inci chip untuk solar cell |
Parameter teknis tunggal 6 inci chip kristal untuk solar cell |
1 Ukuran 1. 1 Silicon: 160/150±0,4mm 1. 2 Lebar Silikon: 125±0,4mm 1. 3 Ketebalan Silikon: 200/190±20μm 1. 4 TTV: 0,03mm 1. Tahun 5 periculana Garis diagonal persegi dalam film adalah sama Toleransi: ±0,5mm 1. 6 membungkuk: ≤0,035mm 2. Data Teknis 2.1 resistivitas: 0.5-3Ω.cm 2.2 Parameter konduktif: Jenis n/P 2.3 masa Pakai Kurir-Carrier: ≥10μs Tambah jumlah oksigen pada 2.4: 1 Tambah bintik di bintik-bintik pada 1018atom/ cm3 10 Isi karbon: Halaman penukar ASCII <2.5 penukar ASCII/ cm3 2.6 arah Crystal: (100) 2.0± 2.7 kekurangan: 1≤ Tambah penukar ASCII/ cm3 |
1.Ukuran 1. 1 Dia Silikon: 195/200/205±2,0mm 1. 2 Lebar Silikon: 156±0,4mm 1. 3 Ketebalan Silikon:: 200/190±10μm 1. 4 TTV: ≤40μm Tahun 1 untuk tahun 5, untuk tahun 90±3 1. 6 membungkuk: ≤0,035mm 2. Data Teknis 2.1 resisbian: 0.5-3/3-6Ω.cm 2.2 Parameter konduktif: Jenis n/P 2.3 masa Pakai Kurir-Carrier: ≥10μs 1 Isi oksigen: Tambah-mpenukar ASCII 2.4 pada Tambah atom 10 Isi karbon: Halaman penukar ASCII <2.5 penukar ASCII/ cm3 2.6 arah Crystal: (100) 2± 2.7 kekurangan: 1 ≤Tambah penukar ASCII/ cm3 |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi