Diode Silicon G1/ Silicon G1/G1/ G1/M2+ Wafer

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: Silicon Wafer G1
• Package: Customize as Per Demand
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Temperature Measurment & Optics Applying
• Tidak. Model.: RAY-OS213#
• Model: as Per Demand
• Batch Number: as Per Demand
• Brand: Raytek
• substrat: silikon monokrin
• panjang fokus: +-2% @10,6um
• toleransi ukuran: 0/-0,15mm
• toleransi ketebalan: +/-10um
• karakter optik: 2-5um @ kurang dari 1%; 5.5-14um @menve lebih tha
• paralelisme: kurang dari 1 lengkung min
• permukaan akhir: 60-40 Scratch-Dig
• Paket Transportasi: 100PCS Per Carton
• Spesifikasi: custom as per demand
• Merek Dagang: Raytek
• Asal: China
• Kode HS: 281122900
• Kapasitas Produksi: 100000000PCS Per Year

Deskripsi Produk

Wafer Tango Kelas Surya

Sel surya dibagi menjadi silikon kristalin dan silikon bentuk halus. Sel silikon kristal juga dapat dibagi menjadi sel kristal tunggal dan sel-sel polipalin; efisiensi silikon monokrystalline juga berbeda dengan silikon polipkristal. Berikut ini adalah perkenalan singkat pada bahan ansilikon surya dan tujuan wafer silikon surya.

Apakah bahan wafer silikon surya
Sel-sel surya terbagi dalam sel surya monokrystalline silon, sel silikon polialin halus film solar dan sel-sel surya halus silikon halus.
Bentuk silikon elemental. Bila silikon cair mengeras, atom silikon tersusun dalam kisi-kisi berlian menjadi banyak inti kristal. Jika inti kristal ini tumbuh menjadi biji-bijian dengan orientasi bidang kristal yang sama, butir-butir ini akan digabungkan sejajar dengan butiran ke dalam silikon monokripline.
Ikon polisilicon merupakan sejenis silikon monokrystallin. Bila silikon tunggal cair memperkuat pada kondisi superpendingin, atom silikon tersusun dalam banyak inti kristal dalam bentuk kisi berlian. Jika inti kristal ini berkembang menjadi biji-bijian dengan orientasi penampang kristal yang berbeda, butir-butir ini digabungkan agar butiran membentuk silikon polykristaline.

Silikon Amorphus dipersiapkan dari bentuk aloi tanpa bentuk. Untuk mendapatkan silikon amorphus, diperlukan laju pendinginan yang tinggi, dan persyaratan khusus untuk laju pendinginan tergantung pada material. Silikon memerlukan laju pendinginan yang sangat tinggi. Saat ini, keadaan amorf tidak dapat diperoleh dengan cepat quenching cair. Dalam beberapa tahun terakhir, banyak teknik untuk deposisi uap pada film silikon amorphus telah dikembangkan, termasuk penguapan vakum, pelepasan cahaya, penimbunan uap yang meludah dan kimia. Umumnya, bahan mentah utama yang digunakan adalah monosilane (SiH4), disilin (si2h6), silikon tetrafluoride (SiF4), dan lain-lain, dengan persyaratan sangat murni. Struktur dan sifat dari film silikon bentuk tidak terkait erat dengan proses persiapan. Saat ini, dianggap bahwa kualitas film silikon amorphus yang disiapkan dengan metode pelepasan cahaya adalah yang terbaik, dan peralatan tidak rumit.


Penerapan wafer silikon surya
Mengubah energi cahaya menjadi listrik. Secara sederhana, karena energi foton iradiasi posisi lubang elektron di persimpangan pn semikonduktor yang terdiri dari silikon dan germanium, elektron akan melompat, sehingga menghasilkan voltase pada silikon semikonduktor di kedua ujung. Jika tegangan membentuk sirkuit, arus akan dihasilkan.

Spesifikasi Ukuran Utama:
G1,M2, M6,M10,G12

Data Teknis Utama:

Parameter teknis tingkat diode chip kristal tunggal 3 inci	Parameter teknis tingkat diode chip kristal tunggal 4 inci
1 Ukuran Dia 1.1 Wafer Silikon.  :76.2 +/- 0,4 mm 1.2 tekukan: ≤0,035mm 1.3 Toleransi ketebalan :≤0.03 mm 1.4 tahun untuk tahun 2000 Garis diagonal persegi dalam film adalah sama Toleransi :+/-0,5mm 2. Data Teknis 2.1 Parameter konduktif :N jenis 2.2 resisbian :5-6OΩ .cm atau disesuaikan 2.3 masa Pakai Kurir-Operator: ≥100 μ 2.4 kandungan oksigen : <1.0 berhasil membuat k18atom/cm3 2.5 Konten karbon : <5.0 x 1016atom/cm3 2.6 Crystal Orientation : 111± 1.50 2.7 kerapatan lokasi : ≤3000pcs /cm3 2.8 Ketebalan:280-305μm	1.Ukuran Dia Wafer Silikon: 100±0,5mm 1.1 1.2 TTV: 0.005μm 1.3 tekukan: ≤0,030mm 2.Data Teknis 2.1 resisbian: 5-60Ω.cm atau disesuaikan 2.2 Parameter konduktif: N Tipe 2.3 masa Pakai Kurir-Carrier: ≥100μs Tambah jumlah oksigen pada 2.4: 1 Tambah bintik di bintik-bintik pada 1018atom/ cm3  5 Isi karbon: Halaman penukar ASCII <2.5 penukar ASCII/ cm3 2.6 arah Crystal: 111±1.5
Parameter teknis kristal tunggal 6 inci chip untuk solar cell	Parameter teknis tunggal 6 inci chip kristal untuk solar cell
1 Ukuran 1. 1 Silicon: 160/150±0,4mm 1. 2 Lebar Silikon: 125±0,4mm 1. 3 Ketebalan Silikon: 200/190±20μm 1. 4 TTV: 0,03mm 1. Tahun 5 periculana Garis diagonal persegi dalam film adalah sama Toleransi: ±0,5mm 1. 6 membungkuk: ≤0,035mm 2. Data Teknis 2.1 resistivitas: 0.5-3Ω.cm 2.2 Parameter konduktif:  Jenis n/P 2.3 masa Pakai Kurir-Carrier: ≥10μs Tambah jumlah oksigen pada 2.4: 1 Tambah bintik di bintik-bintik pada 1018atom/ cm3  10 Isi karbon: Halaman penukar ASCII <2.5 penukar ASCII/ cm3 2.6 arah Crystal: (100) 2.0± 2.7 kekurangan: 1≤ Tambah penukar ASCII/ cm3	1.Ukuran 1. 1 Dia Silikon: 195/200/205±2,0mm 1. 2 Lebar Silikon: 156±0,4mm 1. 3 Ketebalan Silikon:: 200/190±10μm 1. 4 TTV: ≤40μm Tahun 1 untuk tahun 5, untuk tahun 90±3 1. 6 membungkuk: ≤0,035mm 2. Data Teknis 2.1 resisbian: 0.5-3/3-6Ω.cm 2.2 Parameter konduktif: Jenis n/P 2.3 masa Pakai Kurir-Carrier: ≥10μs 1 Isi oksigen: Tambah-mpenukar ASCII 2.4 pada Tambah atom  10 Isi karbon: Halaman penukar ASCII <2.5 penukar ASCII/ cm3 2.6 arah Crystal: (100) 2± 2.7 kekurangan: 1 ≤Tambah penukar ASCII/ cm3

Negara & Area Ekspor Utama:  
USA, UK, Japan, Jerman, Spanyol, Prancis, Swiss, Korea, Rusia, Pakistan, India, Portugal, Kanada, Selandia Baru, Australia, Arab Saudi, Turki, Finlandia, Polandia, dll.

Layanan ekstra nilai Raytekoptik yang ditawarkan:
1). Rancangan solusi proses & pembuatan optik;
2). Bahan mentah pemrosesan kasar;
3). Bahan baku semi finishing;
4). Buat ukuran dan bentuk kustom;
5). Desain dan lapisan khusus persediaan;
6). Memodifikasi dan melapisi ulang material yang disediakan pelanggan;
7). Lubang bor, kaca takik, dan memfasilitasi substrat miring;
8). Optik polesan presisi dengan rasio aspek non-standar;

Metode Pembayaran: Dengan T/T atau Western Union.
Waktu pengiriman: 7-10 hari.
Garansi Kualitas: RubiofilElectric (Raytekoptics) menawarkan  garansi kualitas untuk produk optik kami dengan kebijakan "3R". Untuk produk dengan kualitas rendah, Rubitairfotoelektrik(Raytekoptics) bertanggung jawab dalam pengembalian, penggantian, dan pengembalian uang.