Sertifikasi: | RoHS |
---|---|
Struktur Enkapsulasi: | Chip Transistor |
Instalasi: | SMU Triode |
Tingkat Daya: | Daya sedang |
Material: | Silikon |
tipe fet: | saluran-n |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
TIPE
|
DESKRIPSI
|
---|---|
Kategori
|
Produk Semikonduktor Discrete
Transistor
FETs, MOSFETs
Satu-satunya FETs, MOSFETs
|
Seri
|
Ultra X2
|
Paket
|
Tabung
|
Status Produk
|
Aktif
|
Jenis FET
|
N-Saluran
|
Teknologi
|
MOSFET (Logam Oksida)
|
Kuras ke Tegangan Sumber (Vss)
|
650 V.
|
Arus - pengurasan kontinu (ID) @ 25 C
|
34A (TC)
|
Tegangan Penggerak (RDS maks ON, RDS min ON)
|
10 V.
|
RDS hidup (Maks) @ ID, Vg
|
96mOhm @ 17A, 10V
|
Vg(th) (Maks) @ ID
|
5V @ 250µA
|
Gate Charge (QG) (Max) @ Vg
|
54 NC @ 10 V
|
Vg (Maks)
|
±30V
|
Kapasitansi Input (Cats) (Maks) @ Vd
|
3000 pF @ 25 V
|
Fitur FET
|
-
|
Disipasi Daya (Maks)
|
540W (TC)
|
Suhu Pengoperasian
|
-20 - 55 150 C (TJ)
|
Tipe Pemasangan
|
Pemasangan Permukaan
|
Paket Perangkat Pemasok
|
KE-263AA
|
Paket / kotak
|
KE-263-3, D²Pak (2 Sadapan + tab), ke-263AB
|
Nomor Produk Dasar
|
IXT34
|
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi