Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60

Rincian Produk
Kustomisasi: Tersedia
Sertifikasi: RoHS
Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin alami
Masih ragu? Dapatkan sampel $!
Pesan Sampel
Pengiriman & Kebijakan
Biaya pengiriman: Hubungi pemasok mengenai pengiriman dan perkiraan waktu pengiriman.
Metode pembayaran:
visa mastercard discover JCB diners club american express T/T
PIX SPEI OXXO PSE OZOW PayPal
  Pembayaran dukungan dalam USD
Pembayaran aman: Setiap pembayaran yang Anda lakukan di Made-in-China.com dilindungi oleh platform.
Kebijakan pengembalian dana: Klaim pengembalian dana jika pesanan Anda tidak dikirim, hilang, atau tiba dengan masalah produk.
Secured Trading Service
Anggota Berlian Harga mulai 2021

Pemasok dengan izin usaha terverifikasi

Pemasok yang Diaudit Pemasok yang Diaudit

Diaudit oleh lembaga inspeksi pihak ketiga yang independen

Tim Berpengalaman
Pemasok memiliki 11 staf perdagangan luar negeri dan 6 staf dengan lebih dari 6 tahun pengalaman perdagangan luar negeri
Kustomisasi dari Desain
Pemasok menyediakan layanan penyesuaian berbasis desain
Kustomisasi Penuh
Pemasok menyediakan layanan penyesuaian penuh
Kemampuan Penelitian dan Pengembangan
Pemasok memiliki 1 insinyur R&D, Anda dapat memeriksa Audit Report untuk informasi lebih lanjut
untuk melihat semua label kekuatan terverifikasi (19)
  • Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60
  • Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60
  • Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60
  • Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60
  • Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60
  • Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60
Temukan Produk Serupa

Informasi dasar

Tidak. Model.
IKQ120N60T
Struktur Enkapsulasi
Transistor Chip
Tingkat Daya
Daya Tinggi
Bahan
Silikon
jenis igbt
parit berhenti
tegangan - pembagian pengumpul (m
600 V
arus - pengumpul (ic) (maks)
160 a
arus - pengumpul naik (icm, pengumpul)
480 a
vce(on) (maks) @ vge, ic
2v @ 15v, 120a
daya - maks
833 W
mengganti energi
6,2mj (on), 5,9mj (off)
tipe input
standar
pengisian gerbang
703 nc
td (on/off) @ 25 derajat c
50ns/565ns
kondisi pengujian
400v, 120a, 3ohm, 15v
waktu pemulihan mundur (trr)
241 ns
suhu pengoperasian
-20 - 40 o 175 o (tj)
tipe pemasangan
melalui lubang
paket / kotak
to-247-3
Paket Transportasi
standar
Spesifikasi
standar
Asal
Gambar asli
Kapasitas Produksi
10000pcs/hari

Deskripsi Produk

IKQ120N60T Transistor IGBT Bidang Stop PG-TO247-3 IKQ120N60T
Menyediakan bom serice/Contact untuk komponen lainnya
Ikq120n60t Transistor IGBT Trench Field Stop 120n60
TIPE
DESKRIPSI
Kategori
Produk Semikonduktor Discrete
Transistor - IGTUG - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
Paket
Tabung
Status Komponen
Aktif
Jenis IGBT
Parit berhenti
Tegangan - Pemutusan Penagih Kolektor (Maks)
600 V.
Arus - Kolektor (IC) (Maks)
160 A
Arus - Kolektor Pulsed (ICM)
480 A
Vce(On) (Maks) @ Vge, IC
2V @ 15V, 120A
Daya - Maks.
833 W
Beralih Energi
6,2mJ (ON), 5,9mJ (OFF)
Tipe Input
Standar
Pengisian gerbang
703 NC
TD (ON/OFF) @ 25 derajat C
50ns/565ns
Kondisi Pengujian
400V, 120A, 3OHM, 15V
Waktu Pemulihan Mundur (trr)
241 ns
Suhu Pengoperasian
-20 - 40 175 C (TJ)
Tipe Pemasangan
Hole
Paket / kotak
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-3-46
Nomor Produk Dasar
IKQ120
 
 
 
Ikq120n60t Transistor IGBT Trench Field Stop 120n60
Ikq120n60t Transistor IGBT Trench Field Stop 120n60Ikq120n60t Transistor IGBT Trench Field Stop 120n60
 

Kirim permintaan informasi Anda langsung ke penyedia ini

*Dari:
*Untuk:
*Pesan:

Masukkan antara 20 dan 4000 karakter.

Ini bukan yang Anda cari? Posting Permintaan Sourcing SEKARANG
Hubungi Pemasok

Temukan Produk Serupa Berdasarkan Kategori

Beranda Pemasok Produk Transistor Iq120n60t Transistor IGBT bidang Hentikan 120n60