Certification: | ISO |
---|---|
Shape: | DIP |
Shielding Type: | N/a |
Cooling Method: | N/a |
Function: | High Back Pressure Transistor, N/a |
Working Frequency: | High Frequency |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
TIPE
|
DESKRIPSI
|
PILIH
|
---|---|---|
Kategori
|
Produk Semikonduktor Discrete
Transistor
FETs, MOSFETs
Satu-satunya FETs, MOSFETs
|
|
Mfr
|
STMicroelektronik
|
|
Seri
|
MDmesh™
|
|
Paket
|
Tabung
|
|
Status Produk
|
Aktif
|
|
Jenis FET
|
N-Saluran
|
|
Teknologi
|
MOSFET (Logam Oksida)
|
|
Kuras ke Tegangan Sumber (Vss)
|
800 V.
|
|
Arus - pengurasan kontinu (ID) @ 25 C
|
17A (TC)
|
|
Tegangan Penggerak (RDS maks ON, RDS min ON)
|
10 V.
|
|
RDS hidup (Maks) @ ID, Vg
|
295mOhm @ 8,5A, 10V
|
|
Vg(th) (Maks) @ ID
|
5V @ 250µA
|
|
Gate Charge (QG) (Max) @ Vg
|
70 NC @ 10 V
|
|
Vg (Maks)
|
±30V
|
|
Kapasitansi Input (Cats) (Maks) @ Vd
|
2070 pF @ 50 V
|
|
Fitur FET
|
-
|
|
Disipasi Daya (Maks)
|
190W (TC)
|
|
Suhu Pengoperasian
|
150 DERAJAT C (TJ)
|
|
Tipe Pemasangan
|
Hole
|
|
Paket Perangkat Pemasok
|
TO-247-3
|
|
Paket / kotak
|
TO-247-3
|
|
Nomor Produk Dasar
|
STW18
|
|
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi