Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet field Effect Transistor

• Certification: RoHS
• Shape: GT
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: High Back Pressure Transistor, Microwave Transistor, Switch Transistor, Transistor
• Working Frequency: Low Frequency
• Tidak. Model.: IRFB4229PBF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• jenis polaritas/saluran: saluran-n
• nomor produk: Irfb4229pbf
• kondisi: merek baru dan asli
• pengiriman oleh: dhl\up\fedex\ems\hk postdhl\fedex\ems\hk post
• kategori: transistor
• teknologi: tapi mesjid
• Paket Transportasi: Tube
• Spesifikasi: iron and plastic
• Asal: Chn

Deskripsi Produk

Atribut Produk
 

Jenis FET	N-Saluran
Teknologi	MOSFET (Logam Oksida)
Arus - pengurasan kontinu (ID) @ 25 C	46A (TC)
Tegangan Penggerak (RDS maks ON, RDS min ON)	10 V.
RDS hidup (Maks) @ ID, Vg	46mOhm @ 26A, 10V
Vg(th) (Maks) @ ID	5V @ 250µA
Vg (Maks)	±30V
Fitur FET	-
Disipasi Daya (Maks)	330W (TC)

Produk terkait



 Tipe Paket




Bidang Aplikasi



Informasi Perusahaan


Exibhitbiton kita
FAQ