Transistor Efek Bidang 600V transistor Ipaw60r600CE

• Sertifikasi: RoHS
• Bentuk: ST
• Fungsi: Transistor Tekanan Balik Tinggi, Microwave Transistor, Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Struktur: Cer-DIP/Ceramic in-Line
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tidak. Model.: IPAW60R600CE
• Material: Silikon
• kategori produk: tapi mesjid
• status bebas utama: kompatibel dengan rohs
• polaritas transistor: saluran-n
• gaya instalasi: melalui lubang
• teknologi: si
• jenis produk: tapi mesjid
• pengiriman oleh: dhl\up\fedex\ems\hk postdhl\fedex\ems\hk post
• Spesifikasi: Number of channels: 1 Channel

Deskripsi Produk

 

Deskripsi Produk:


IPW60R600CE 
 

ID - Arus kuras berkelanjutan:	10.3 A
RDS ON - resistan Sumber-kuras:	1.4 Ohm
Vg - Tegangan Sumber Gate:	- 20 V, + 20 V
Vg th - Tegangan Ambang Batas Sumber Gate:	2.5 V.
QG - Gate Charge:	20.5 NC
Temperatur Kerja Minimum:	- 40 C
Temperatur Kerja Maksimum:	+ 150 C
PD - Power Dissipation (Penyesuaian Daya):	82 W
Mode Saluran:	Peningkatan

Layanan kami:

• Layanan pembelian satu atap.
• Persediaan stok mencukupi.
• Waktu tunggu sadapan minimum.
• Sumber agen asli dan resmi.
• Layanan pelanggan via jawaban yang tepat waktu.
• Pengalaman bisnis selama 30 tahun, Klasifikasi dari kutipan, akurat cepat.

Informasi Perusahaan:

Kemasan & Pengiriman:
Sertifikat Kami:

OurProduct: