6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci

Rincian Produk
Kustomisasi: Tersedia
Sertifikasi: rohs
Warna: Hijau
Masih ragu? Dapatkan sampel $!
Minta Sampel
Anggota Emas Harga mulai 2024

Pemasok dengan izin usaha terverifikasi

Modal Terdaftar
1000000 RMB
Area Pabrik
101~500 meter persegi
  • 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci
  • 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci
  • 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci
  • 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci
  • 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci
  • 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci
Temukan Produk Serupa
  • Ringkasan
  • FAQ
Ringkasan

Informasi dasar.

Tidak. Model.
6Inch Dummy Grade
diameter
6inci
kesakitan
350±25μm
tipe poly
4h
tv
≤20 μm
bungkus
≤70μm
(afm)depan(si-wajah) kasar
ra≤0,2nm
Paket Transportasi
kemasan kaset multi-wafer tunggal
Spesifikasi
6inci
Merek Dagang
hc
Asal
Cina
Kode HS
2804611900
Kapasitas Produksi
50000

Deskripsi Produk

    Silikon Karbid konduktif, Semi-sulate Substrate (dapat disesuaikan) ★8" 6"4" 2" Silicon Carbid Substrate (sic) merupakan jenis material semikonduktor gabungan baru dengan kinerja yang unggul. Silikon karbida Semikonduktor mempunyai sifat yang sangat baik seperti lebar bandwidth besar (sekitar 3 kali silikon), kekuatan medan sangat penting (sekitar 10 kali silikon), dan konduktivitas termal tinggi (sekitar 3 kali lebih silikon). Material semikonduktor ideal untuk membuat perangkat elektronik suhu tinggi, frekuensi tinggi, dan daya tinggi (chip power). Sekaligus, yang juga merupakan material semikonduktor yang sangat baik hanya untuk berlian. Saat ini, kami menyediakan wafer silikon karbida substride standar 2, 4, 6, dan 8 inci. Digunakan untuk produksi transistor efek bidang Schottky (SBD), transistor efek medan semikonduktor logam (MOSFET), transistor efek bidang sambungan (JFET) dan bipolar transistor (BJT). Perangkat elektronik daya ini dapat banyak digunakan dalam sistem energi hijau dan hemat energi, termasuk inverter surya, pembangkit listrik dan penyimpanan energi, daya hibrid, kendaraan listrik, tumpukan pengisian daya, kisi pintar, dan perlengkapan rumah tangga.

  6 Inch Dummy Grade Silicon Carbide Wafer N-Type Semiconductor Sic Wafer
6 Inch Dummy Grade Silicon Carbide Wafer N-Type Semiconductor Sic Wafer6 Inch Dummy Grade Silicon Carbide Wafer N-Type Semiconductor Sic Wafer6 Inch Dummy Grade Silicon Carbide Wafer N-Type Semiconductor Sic Wafer
                                                 6 inci substrat wafer nik
 
Tidak. Item Satuan Peringkat Ultra-P Tingkat Produksi Kelas Riset Kelas Dummy
1.Parameter Boule
1.1 Tipe poly -- 4H
1.2 Kesalahan orientasi permukaan Terwujudnya 4 11 menuju <20-±> 0.15 4  11 menuju <20-±> 0.5 4 11 menuju <20-±> 0.5 4  11 menuju <20-±> 0.5
2.Parameter Kelistrikan
2.1 dopant cm-³ Jenis Nitrogen n
2.2 kepekaan ulang ohm·cm 0.016 ohm · 0.015 ohm · 0.015 ohm · TIDAK TERSEDIA
3.Parameter Mekanis
3.1 diameter mm 150 ±0.25 mm
3.2 Ketebalan μm 350±25μm
3.3 Orientasi rata primer Terwujudnya [1-100] 5±
3.4 Panjang rata primer mm 47.5±1,5 mm 47.5±2,5mm 47.5±2,5mm 47.5±2,5mm
3.5 LTV μm ≤2μm(10mm*10 mm) ≤5μm(10mm*10 mm) ≤10μm(10mm*10 mm) ≤15μm(10mm*10 mm)
3.6 TTV μm ≤5μm ≤10 μm ≤15 μm ≤20 μm
3.7 Busur μm -15 μm 15 μm -25 μm 25  μm -45 μm 45   μm -65  μm 65  μm
3.8 Bungkus μm ≤20μm ≤35μm ≤50μm ≤70μm
3.9 Depan (Si-Face)kasar mil laut Ra≤0,2nm Ra≤0,2nm Ra≤0,2nm Ra≤0,2nm
4.Struktur
4.1 kerapatan mikropipa ea/cm² ≤0.15 ea/cm² ≤0.5 ea/cm² ≤1 ea/cm² ≤2 ea/cm²
4.2 konten logam atom/cm² ≤5E10 atom/cm² ≤1Eatom/cm² E11 ≤1Eatom/cm² E11 TIDAK TERSEDIA
4.3 TSD ea/cm² ≤100ea/cm² ≤300ea/cm² ≤500ea/cm² TIDAK TERSEDIA
4.4 BPD ea/cm² ≤600ea/cm² ≤1000ea/cm² ≤1500ea/cm² TIDAK TERSEDIA
5.Kualitas depan
5.1 depan -- Si Si Si Si
5.2 permukaan akhir -- CMP dengan wajah si CMP dengan wajah si CMP dengan wajah si CMP dengan wajah si
5.3 partikel ea/wafer ≤60(ukuran≥0.3 μm) ≤100(ukuran≥0.3 μm) TIDAK TERSEDIA TIDAK TERSEDIA
5.4 goresan ea/mm ≤2,Panjang Total≤1/2*Diameter ≤5,Panjang Total≤Diameter TIDAK TERSEDIA TIDAK TERSEDIA
5.5 keripik/inden/retakan/stai -- Tidak ada Tidak ada Tidak ada TIDAK TERSEDIA
5.6 Area tipe-Polytama -- Tidak ada ≤0.5%Area Kumulatif) ≤2%Area Kumulatif) ≤5%Area Kumulatif)
5.7 tanda depan -- Tidak ada Tidak ada Tidak ada Tidak ada
6.Kualitas Belakang
6.1 bagian belakang selesai -- Permukaan-C dipoles
6.2 goresan ea/mm ≤5,Panjang Total≤Diameter TIDAK TERSEDIA TIDAK TERSEDIA TIDAK TERSEDIA
6.3 Bagian belakang dari tepi cacat -- Tidak ada Tidak ada Tidak ada TIDAK TERSEDIA
6.4 Keughness mil laut Ra≤0,2nm(5μm*5μm) Ra ≤5nm Ra ≤5nm Ra ≤5nm
7.Edge
7.1 Tepi wafer -- Chamfer Chamfer Chamfer Chamfer
8.Kemasan
8.1 Pengemasan -- EPI-Ready dengan kemasan vakum
8.2 Pengemasan -- Kemasan kaset multi-wafer Single wafer
SEMI-STDNotes:"NA"tidak ada permintaan.Item yang tidak berjudul SEMI-STD.
FAQ

Q1: Apa cara pengiriman ?
J: Kami menerima DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF dan sebagainya.
Q2: Bagaimana cara membayar?
A: T/T, PayPal, dan sebagainya..
Q3: Berapa lama waktu yang diberikan?
J: Untuk inventaris: Waktu pengirimannya adalah 10 hari kerja.   Untuk produk yang disesuaikan: Waktu pengirimannya adalah 10 hingga 25 hari kerja. Menurut jumlah.
Kuartal 4: Apakah saya dapat menyesuaikan produk berdasarkan kebutuhan saya?
 J: Ya, kami dapat menyesuaikan spesifikasi sesuai kebutuhan Anda.
T5: Bagaimana cara menjamin kualitas produk Anda?
 A: Deteksi ketat selama produksi.Inspeksi sampling tegas pada produk sebelum pengiriman dan kemasan produk utuh dijamin.
6 Inch Dummy Grade Silicon Carbide Wafer N-Type Semiconductor Sic Wafer

Kirim permintaan informasi Anda langsung ke penyedia ini

*Dari:
*Untuk:
*Pesan:

Masukkan antara 20 dan 4000 karakter.

Ini bukan yang Anda cari? Posting Permintaan Sourcing SEKARANG
Hubungi Pemasok

Temukan Produk Serupa Berdasarkan Kategori

Beranda Pemasok Produk Wafer sic & Eppaksial wafer 6 Wafer Silikon Karbida Dummy Grade N-Tipe Inci