Foto Produk:
Parameter Produk:
| Parameter |
simbol |
persyaratan |
nilai |
satuan
|
| Tegangan Kolektor-emitter |
VCES |
VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25 |
1200 |
V |
| Arus Kolektor Berkelanjutan |
IC |
TC=100 derajat celcius |
25 |
A |
| Arus Pengumpul Puncak |
ICRM |
ICRM=2IC |
50 |
A |
| Tegangan Pemancar pintu |
BIAYA |
Tvj=25 |
±20 |
V |
| Disipasi Daya Total (IGBT-inverter) |
Ptot |
TC=25
Maksimal=175celcius |
175 |
W |
Fitur
- Kehilangan sakelar rendah
- TJ maks = 175 derajat C
- Heatsink yang berpenyekat dengan teknologi DBC
- Kotak masuk yang rendah
- Low Vce(SAT) dengan koefisien suhu positif
- Termasuk pemulihan cepat & lembut anti-paralel
- Kemampuan hubungan pendek yang tinggi(10us)
Manfaat
- Arus output inverter yang lebih tinggi untuk ukuran bingkai yang sama
- Biaya sistem berkurang dengan menyederhanakan sistem inverter
- Mudah dan andal
- Keandalan inter-koneksi yang tinggi
- cocok untuk proses press-in & patri
Aplikasi
- Kendaraan komersial, konstruksi, dan pertanian (CV.)
- Kontrol dan penggerak motor
- Solusi untuk sistem pembangkit listrik tenaga surya
- Uninterruptible Power Supply (UPS)
- Alat berat pengelasan dengan sakelar lunak
- Amplifier penggerak servo AC dan DC
Modul E52/E53 IGBT adalah salah satu paket IGBT yang paling populer di seluruh dunia dan digunakan dalam banyak aplikasi, seperti Drive Serba guna; Komersial, Konstruksi dan kendaraan Pertanian serta eBus; Solar; angin; Traksi; UPS dan terakhir, Transmisi dan Distribusi. Dalam pembuatan modul terbaru, sekarang dimungkinkan untuk meningkatkan arus modul menjadi 900 A. ini dimungkinkan melalui teknologi canggih yang baru, memungkinkan kepadatan daya yang lebih tinggi dan mengurangi biaya BOM.
Diagram Sirkuit
Pengambar paket
Produk Seri N2:
| Contoh |
Vces(V) |
IC(T=80)(A) |
VCE(SAT) Tj=125 |
EON+EOF(Tj=25)(mj) |
Rthjc(KW)
|
| WGL75TL65N3 |
650 |
75 |
1.65 |
5.61 |
0.33 |
| WGL100TL65N3 |
650 |
100 |
1.65 |
8.55 |
0.24 |
| WGL150TL65N3 |
650 |
150 |
1.65 |
13.4 |
0.17 |
| WGL50F120N3 |
1200 |
50 |
1.85 |
9.41 |
0.18 |
| WGL75F120N3 |
1200 |
75 |
1.85 |
12.35 |
0.11 |
| WGL25P120N3 |
1200 |
25 |
1.85 |
4.56 |
0.68 |
| WGL35P120N3 |
1200 |
35 |
1.85 |
6.27 |
0.43 |
| WGF100TT120N3 |
1200 |
100 |
1.55 |
10.21 |
0.18 |
| WGF150TT120N3 |
1200 |
150 |
1.55 |
14.22 |
0.16 |
| WGF200TT120N3 |
1200 |
200 |
1.55 |
18.21 |
0.12 |
FAQ:
1.Mengapa IGBT yang ditentukan lebih dari 175celcius ini?
IGBT dikembangkan untuk beroperasi pada suhu yang terus-menerus 175 C. Pembatasan beban berlebih diberikan oleh paket. Sebagian besar aplikasi dirancang dengan profil beban berlebih dan IGBT yang terpasang sempurna. CETC IGBT yang mengalami kehilangan statis terendah.
2.bagaimana cara menangani muatan gerbang tinggi yang ditetapkan untuk lembar data IGBT?
Muatan gerbang yang ditentukan di lembar data adalah untuk operasi dengan VGE ± 20 V. sebagian besar pelanggan menggunakan VGE dalam rentang +5,4 V hingga +7 V. di sini pengisian gerbang jauh lebih rendah dan dengan nilai ini, frekuensi peralihan standar bisa ditangani dengan drive standar.
3.Dukungan Teknis
Agar kami dapat memproses permintaan Anda seefisien mungkin dan memastikan agar kasus Anda jadi dilaporkan, kami dengan baik meminta Anda untuk mengirimkan permintaan Anda melalui tim layanan kami.
Pemasok yang Diaudit 
