-32b Sensor Arus Efek (kompatibel dengan)

• Type: Hall Type
• Output Signal Type: Analog Output
• Production Process: Injection
• Material: Plastic
• Application: Solar
• Certification: CE , UL
• Tidak. Model.: GOH1-32B
• Customized: Non-Customized
• Paket Transportasi: Tube
• Merek Dagang: GAUSS-ELEC
• Asal: China
• Kode HS: 8504909090
• Kapasitas Produksi: 5000000 Pieces/Yeas

Deskripsi Produk

Transduser Arus Seri GOCR-XXB

IPN = 10 ... 50 A

REF:GOH1-10B, GOCR-H1, PEMERINTAH H1-20B, PEMERINTAH H1-32B, PEMERINTAH H1-40B, -50B

 

Pengenalan

 

Seri GH1-xxB didasarkan pada teknologi Hall dan desain loop terbuka. Ini sesuai untuk DC, AC, pulsa, dan segala jenis pengukuran arus yang tidak teratur di bawah kondisi terisolasi.


Dimensi (dalam mm)

 

-32B
 

Parameter	Simbol	Satuan	Spesifikasi			Persyaratan
			Min	Tipikal	Maks.
Arus nominal RMS Primer	IPN	A	-32		32
Arus Primer, kisaran pengukuran	IPM	A	80		80	Untuk UC  > 4,6V
Jumlah putaran utama	NP	-		1
Resistan jumper primer @TA =25	RP.	mΩ		0.21		T=25
Resistan jumper primer @TA =105celcius	RP.	mΩ		0.29		Jumper=120 derajat celcius
Tegangan catu daya	UC	V	4.5	5	5.5
Konsumsi arus	IC	MA		12	18
Tegangan referensi (output)	Uref	V	2.49	2.5	2.51	referensi internal
Kisaran tegangan output @IPM	Uout  - rujukan	V	-2		2
Resistansi output Keluaran Vout	Keluar	Ω		10
Resistansi output rujukan	Referensi	Ω		5
Kapasitansi beban	CL	NF			6
Tegangan offset listrik dirujuk ke IP@ primer=0	UOE	MV	-5		5	25,ref - ref
Arus offset elektrik dirujuk ke primer	IOE	MA	-200		200
Koefisien suhu dari Uref	TCVref	Ppm/K	-170		170	-40 CELCIUS
Koefisien suhu	UBE  - TRange	MV	-5		5	-40 CELCIUS
Koefisien suhu G	TCG	Ppm/K	-170		170	-40 CELCIUS
Sensitivitas teoretis	Kam	MV/A		25		800 mV@
Kesalahan sensitivitas	εG	%	-0,5		0.5	Penyetelan pabrik
Kesalahan linearitas 0... IPN	εL	% dari IPN	-0,5		0.5
Kesalahan linearitas 0... IPM	εL	% IPM	-0,5		0.5
Arus offset magnetik (@10*IPN) dirujuk ke primer	IOM	MA	-100		100
Voltase offset magnetik (@10*IPN) dirujuk ke primer	UOM	MV	2.5		2.5
Output RMS, voltase bising DC 20MHz	UN	MVP-P		35
		MVRMS		4.4
Waktu reaksi @ 10% dari	tra	as		1.4	2	@50A/US
Step Response Time mencapai 90% dari IPN	tr	as		1.8	2.5	@50A/US
Bandwidth frekuensi(-3dB)	BW	KHz		250
Akurasi @IPN	XTA	% dari IPN	-1		1
Akurasi @IPN@TA	TA (TA)	% dari IPN	2.5		2.5