4n ATO Target Sb2o3 Target targetkan/Target Rata

• Aplikasi: Industri
• rumus: Sno2:Sb2o3
• klasifikasi: Ceranic Traget
• standar mutu: kelas industri
• sertifikasi: iso
• bentuk: Rotary,Flat,Round
• Tidak. Model.: CYT-ATO
• Paket Transportasi: Wooden Box
• Spesifikasi: Customized Size
• Merek Dagang: CANYUAN
• Asal: China
• Kapasitas Produksi: 1000PCS

Deskripsi Produk

DESKRIPSI PRODUK

Bahan target ATO adalah bahan anti-timon oksida timah, yang utamanya terdiri atas lapisan doped oksida dengan antitimon oksida. Ini adalah material semikonduktor tipe N dan jenis material oksida transparan baru yang dikembangkan dalam beberapa tahun terakhir. Memiliki sifat optik, elektrik, dan termal yang sangat baik.

Tempat ini memiliki sifat-sifat yang sangat baik seperti lebar pita terlarang besar (≥3,6eV), konduktivitas listrik baik, penyebaran cahaya terlihat tinggi, resistansi radiasi, dan stabilitas termal yang baik. Pembuatan scber-sinetATO biasanya dilakukan dengan menggunakan metoda sintering plasma

(SPS), ukuran dan proporsi disesuaikan menurut kebutuhan pelanggan.

Parameter teknis

Kemurnian: 99.99%; rasio umum: SnO2:sba3=90:10(wt%), SnO2:sbe3=95:5(wt%).

Area aplikasi: Layar panel datar, sel surya, dan material optoelektronik lainnya.

Kita bisa membuat target ATO dan ssemburat (ATO) rata.
Spesifikasi dan kemurnian dapat disesuaikan.
Tabel analisis deskripsi dan pembuatan dari 4N ATO  adalah sebagai berikut:

Spesifikasi Target
Aplikasi	PVD material yang dilahirkannya
Material	ATO (SnO2:Sb2O3)
Kemurnian	4N
Ukuran	disesuaikan
Ketebalan	disesuaikan
Bentuk	Target berputar, tipe Ring, tipe lembar, Tipe lapisan, Tipe pipa
Kerapatan	-g/cm3
Titik Lekapan	-80
Metode hasil bumi	HIP

Kelebihan kita

Proses operasi

Packing Picture

Aplikasi:

Produk terkait

Material	Kemurnian (N)	Komponen (wt%)	Kerapatan	Mencair  Titik	Termal Konduktivitas (WM-1K-1)	Koefisien  ekspansi (10-6k-1)	Produksi  Memproses
Campuran Al	5N	-	2.7	660	235	23.1	Peleburan
CR	3N5	-	7.22	1907	94	4.9	HIP
CU	4N	-	8.9	1084	400	16.5	Peleburan
Campuran MO	3N5	-	10.28	2623	139	4.8	HIP
Jml	4N	-	8.6	2477	54	7.3	Peleburan
TA (TA)	4N	-	16.7	3017	57	6.3	Peleburan
Si	4N	-	2.33	1414	150	2.6	Sintering&Spray
TI	5N	-	4.5	1670	22	8.6	Peleburan
W	4N	-	19.25	3422	174	4.5	HIP
	3N5	98:2	5.6	1975	22	1.5	Sintering
ITO	4N	90:10	7.15	2000	15	2.0	Sintering
GZF	3N5	SESUAI YANG DIMINTA	7.15	-	-	-	Sintering
IGZO	4N	SESUAI YANG DIMINTA	-	-	-	-	Sintering
NbOx	4N	-	4.6	1460	5	1.5	Sintering&Spray
TIBx	4N	-	4.23	1800	4	7.14	Sintering&Spray