Tipe: | Tipe Hall |
---|---|
Tipe sinyal Output: | Output Analog |
Proses produksi: | Semikonduktor Terintegrasi |
Material: | Plastik |
Tingkat Akurasi: | 0,7g |
Aplikasi: | sensor arus paket baterai hibrid |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Data listrik:(Ta=25,VC=+5,0 VDC, RL=2Kilohm,CL=10000pF) | ||||
Meteran REF |
CHB02ES5S2H | CHB10ES5S2H | CH25ES52H | CHB50ES5S2H |
Nilai Ipn(A) input | 02 | 10 | 25 | 50 |
Rentang pengukuran IP(A) | ±02 0 | ±10 0 | ±25 0 | ±50 0 |
Rasio putar NP/NS (T) | 1:400 | 1:1000 | 1:2000 | 1:2000 |
Di dalam hambatan RM(ohm) | 200±0.1% | 50±0.1% | 40±0.1% | 20±0.1% |
Tegangan output Vo(V) | 2.500±2.000*(IP/IPN) | |||
Tegangan output Vo(V) | @IP=0,T=25 2.500 C | |||
Voltase referensi VR(V) | @Referensi internal,Keluar 2.500 | |||
VC tegangan suplai(V) | + 5,0 ±5% | |||
Akurasi XG(%) | @IPN,T=25 ±C < 0.5 | |||
Tegangan offset VOE(mV) | @IP=0,T=25 ±< 10 ±(< 30MV@IPN=2A) | |||
Variasi suhu VOE VOT(mV/ C) | @IP=0,-40 +85 ±< 0.05 |
|||
Kesalahan linearitas εr(%FS) | < 0.1 | |||
Di/dt secara akurat diikuti(A/µs) | > 50 | |||
Response Time tra(µs) | @90% dari IPN < 1.0 | |||
Konsumsi Daya IC(mA) | 10+is | |||
Bandwidth BW(KHZ) | @-3dB, IPN DC-200 | |||
Tegangan isolasi Vd(KV) | @50/60Hz, 1mnt,AC 3.0 |
Data umum: | |
Parameter | Nilai |
Suhu operasi TA (suhu TA) | -40 kamar + 85 |
Suhu penyimpanan TS (C ) | -125 55 |
Massa M(g ) | 13 |
Bahan plastik | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standar | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
Dimensi (mm): | |
![]() |
Koneksi |
![]() |
|
Toleransi umum | |
Toleransi umum:< ±0,2mm Lubang tembus primer: D8.2±0,15mm; Pin sekunder: 4pin 0.65*0.65; |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi