Teknologi Produksi: | Laser Diode |
---|---|
Material: | Elemen Semikonduktor |
Tipe: | N-type Semiconductor |
Paket: | To18-5.6mm |
Pemrosesan sinyal: | Simulasi |
Aplikasi: | Direct Imaging for PCB, Laser Module, Industry |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Item |
Simbol |
Peringkat Maksimum absolut |
Satuan |
Daya output optik |
PO |
500 | MW |
LD Tegangan Mundur |
IR (LD) |
5 |
V |
Suhu Penyimpanan |
Tstg |
35 hingga +85 |
|
Suhu kotak Pengoperasian |
TC |
0 hingga +30 |
Parameter | Simbol | Min | Tip | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Celasing Wavelength (Panjang Gelombang) | λp | 398 | 404 | 410 | mil laut | PO=500mW |
Arus Ambang Batas | Ith (Dengan) | - | - | 160 | MA | - |
Arus operasi | Iop | - | 390 | 420 | MA | PO=400mW |
Tegangan Operasi | Vop | - | - | 5.5 | V | PO=400mW |
Beam Divergence Parallel ke persimpangan | - | 5 | 13 | 25 | Terwujudnya | PO=400mW, Sudut penuh |
Pancaran cahaya tegak lurus terhadap persimpangan | - | 30 | 45 | 60 | Terwujudnya | PO=400mW, Sudut penuh |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi