3-Fase Power Vienna PFC, Topologi dua arah pengisian Os65r035hf High Voltage Mosfet

• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• tipe: stasiun pengisian daya ev cepat
• sertifikasi: iso, tuv, rohs
• Tidak. Model.: OSG65R035HF
• garansi: 24 bulan
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20kkkk/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum
GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Generic dioptimalkan untuk performa switching ekstrem guna meminimalkan kerugian saat switch. Sistem ini dirancang untuk aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi guna memenuhi standar efisiensi yang tertinggi.

Fitur                                                                                                    

• RDS rendah(ON) & FOM
• Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan keseragaman unggul

Aplikasi

• Daya PC
• Lampu LED
• Tenaga Telecom
• Server Power
• Pengisi Daya EV
• Solar/UPS
•  
• Parameter Kinerja Utama
•  

  Parameter	Nilai	Satuan
  VDS, min @ Tj(maks)	700	V
  ID, Pulse	240	A
  RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	35	mΩ
  QG	153.6	NC

  
  Menandai Informasi
   

  Nama Produk	Paket	Tanda
  OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	240	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	80	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	240	A
TC(SBP)=25 SBP	PD	455	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	1700	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.27	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700				VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 SBP
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	2.8		4.0	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.028	0.035	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.075			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			5	μA	VDS=650 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.4		Ω	ƒ= 1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		7549.2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			447.1		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		13.2		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		52.3		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=5 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		86.8		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		165.2		ns
Waktu turun	tf		8.5		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		153.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		41.8		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		50.2		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.8		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		566.1		ns	VR=400V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		13.2		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		45.9		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 4 in 2 FR-1 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 MH, memulai Tj=25 C.