Vds-700V ID-240A RDS (ON) -38miliohm QG-175nc PC EV Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: ST
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO247 OSG65R038HZF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• p/n: osg65r038hzf
• berkemas: to247
• aplikasi1: daya pc
• aplika2: pengisi daya ev
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
   Seri GreenMOS® Z   diintegrasikan  dengan    fast recovery diode  (FRD)  untuk  meminimalkan   waktu pemulihan mundur. Cocok untuk topologi switching yang resonan untuk mencapai efisiensi yang lebih tinggi, keandalan yang lebih tinggi,  dan faktor bentuk yang lebih kecil.
 

Fitur

• RDS rendah(ON) &  FOM
•  Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan  keseragaman unggul
•  Diode bak yang ultra cepat dan kokoh

 

Aplikasi

•  Daya PC
• Tenaga Telecom  
•  Server Power
•  Pengisi Daya EV
•  Penggerak motor

 

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	700	V
ID, Pulse	240	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	38	mΩ
QG	175	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	240	A
Diode kontinu maju rcurrenc1), TC=25	ADALAH	80	A
Up diode berdenyut 2), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	240	A
Pembangkang power terhadap 3X,TC=SBP 25	PD	500	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	2900	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	100	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.25	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			10	μA	VDS=650 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.1		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

 

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			486		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		12.8		PF
Kapasitansi output efektif, dan berkaitan dengan energi	Co		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Kapasitansi output efektif, berkaitan dengan waktu	Co(tr)		1477		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		55.9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		121.2		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		114.2		ns
Waktu turun	tf		8.75		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		40.1		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		76.1		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.4		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		180		ns	IS=30 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1.5		UC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		15.2		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan  temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh  temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan  resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25  C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 MH, memulai Tj=25  C.

Informasi pemesanan

 

Tipe Paket	Unit/Tabung	Tabung/kotak dalam	Satuan/kotak dalam	Kotak dalam/ kotak karton	Unit/kotak karton
TO247-C	30	11	330	6	1980

Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG65R038HZF	TO247	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau