RDS-700V ID-12A (ON) -1.4ohm QG-6,7nc EV Charger Solar/UPS Mosfet

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: TO252 OSG65R1K4DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 37*37*29CM
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Generic dioptimalkan untuk performa switching ekstrem guna meminimalkan kerugian saat switch. Sistem ini dirancang untuk aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi guna memenuhi standar efisiensi yang tertinggi.
 

Fitur

• RDS rendah(ON) &  FOM
•  Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan  keseragaman unggul

 

Aplikasi

•  Daya PC
• Lampu LED
• Tenaga Telecom  
•  Server Power
• Pengisi Daya EV
• Solar/UPS

 

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	700	V
ID, Pulse	12	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	1.4	Ω
QG	6.7	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG65R1K4DF	TO252	OSG65R1K4D

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 25	ID	4	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 100		2.5
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	12	A
Diode kontinu maju rcurrenc1), TC=25	ADALAH	4	A
Up diode berdenyut 2), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	12	A
Pembangkang power terhadap 310), TC=SBP 25	PD	28.4	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	112	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	4.4	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700	770			VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		1.2	1.4	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2.9			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=650 V, VGS=0 V

 

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		259.9		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Kapasitansi output			21.1		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		0.9		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		30.9		ns	VGS=10 V, VDS=380 V, RG=25 Ω, ID=4 A
Waktu kenaikan	tr		20.7		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		56.3		ns
Waktu turun	tf		28.7		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		6.7		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=4 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		1.5		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		3.2		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.4		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=4 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		162		ns	VR=400 V, IS=4 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1.2		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		7		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan  temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh  temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan  resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25  C.
5. VDD=50 V, VGS=10 V, L=20 MH, memulai Tj=25  C.

 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau