Vds-650V ID-108A RDS (ON) -99ohm N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Overclocking
• Tidak. Model.: TO263 OSG60R099KSZF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
  Seri GreenMOS® Z   diintegrasikan  dengan    fast recovery diode (FRD) untuk  meminimalkan   waktu pemulihan mundur.   Cocok   untuk   topologi switching yang resonan   untuk mencapai   efisiensi yang lebih tinggi,  keandalan yang lebih tinggi,    dan faktor bentuk yang lebih kecil.


Fitur
O   RDS (ON) RENDAH & FOM
O     kehilangan sakelar terlalu rendah
O   stabilitas  dan  keseragaman unggul
O      dioda bak yang cepat dan kokoh


Aplikasi
O   Daya PC
O  Telecom  Power
O   Daya server
  Pengisi Daya O EV
O   obeng motor


  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS,  min  @ Tj(maks)	650	V
ID, Pulse	108	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	99	mΩ
QG	66.8	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	36	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		22.8
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID, Pulse	108	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	36	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	108	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	278	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	1000	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.45	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS  =0 V, ID  =1  MA
		650				VGS  =0 V, ID  =1 MA, TJ  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	3.0		4.5	V	VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.082	0.099	Ω	VGS  =10 V, ID=18  A
			0.20			VGS  =10 V, ID=18 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			10	A	VDS  =600 V, VGS  =0 V
Resistansi gerbang	RG		8		Ω	ƒ=1 MHz  /   Buka saluran kuras

 Karakteristik dinamis
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		3917.5		PF	VGS  =0  V, VDS  =50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			203.3		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Lumut		9.0		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		48.3		ns	VGS  =10 V, VDS  =400 V, RG=2 Ω, ID=20  A
Waktu kenaikan	tr		77.0		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		90.9		ns
Waktu turun	tf		4.6		ns

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		66.8		NC	VGS  =10 V, VDS  =400 V, ID=20  A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		16.6		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		28.7		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.7		V

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.4	V	IS=36 A, VGS  =0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		146.5		ns	IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1.0		C
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		12.8		A

Catatan
1)     menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)      Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)     Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus .
4)     nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=60 MH, memulai  Tj  =25 SBP

 

Informasi pemesanan  
 

Paket Tipe	Satuan/ Tarik	Kumpulan Foto  /  Kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO263-J	800	1	800	10	8000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG60R099KZF		ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau