Vds-100V ID-420A regulator Tegangan dengan N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO252 SFG10R20DF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• aplikasi: pengisian daya pd
• aplikasi2: penggerak motor
• aplikasi3: konverter dc-dc
• aplikasi4: suplai bubuk mode alih
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1K/Mont

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
SFGMOS®   MOSFET   didasarkan pada       desain perangkat unik Oriental Semiconductor   yang akan mencapai   RDS rendah (ON),    rendah gate, fast  switching  dan    karakteristik longsor yang luar biasa.    Seri Vth yang rendah  dirancang khusus  untuk menggunakan    sistem daya sertifikasi ulang sinkron dengan  voltase penggerak rendah.

Fitur
.   RDS RENDAH(ON)  &  FOM
.    Pengalihan alat ini sangat rendah
.   Keandalan dan  keseragaman luar biasa
.  Perpindahan cepat dan   pemulihan lunak

Aplikasi
.   Pengisi daya PD
.   Penggerak motor
.   Regulator tegangan pengalihan
.   Konverter DC-DC
.    Catu daya mode alih

 Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS,  min  @ Tj(maks)	100	V
ID,  Pulse	120	A
RDS(ON)  MAKS  @ VGS=10V	20	mΩ
QG	19.8	NC

Menandai  Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
SF10R20DF	TO252	SF10R20D

  Informasi paket & pin





Oriental Semiconductor hakcipta hakcipta dilindungi V2.0  

Page.1

 

SF10R20DF
 Mode Peningkatan    MOSFET Daya Saluran-N

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj=25 C  kecuali   dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	100	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini)  , TC= SBP 25	ID	40	A
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	120	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 )  , TC=25  SBP	ADALAH	40	A
Up diode  berdenyut  2)  , TC=25  SBP	ADALAH , Denyut	120	A
Pembangkang power terhadap 310)  , TC= SBP 25	PD	72	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	30	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga  150	SBP

Karakteristik termal

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal,  selubung persambungan	RθJC	1.74	SBP C/W
Tahan termal,  sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj=25 o C  kecuali   dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Pengurasan sumber tegangan kerusakan	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	1.0		2.5	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		17	20	mΩ	VGS=10 V,  ID=8 A
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)			26	mΩ	VGS=4.5 V,  ID=6 A
Sumber-gerbang kebocoran arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-  100		VGS=-20 V
Pengurasan sumber kebocoran arus	IDS			1	μA	VDS=100 V, VGS=0 V

 

 

Oriental Semiconductor hakcipta hakcipta dilindungi V2.0  

Page.2

 

Karakteristik dinamis

SF10R20DF
 Mode Peningkatan    MOSFET Daya Saluran-N
 

 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		1191		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=1  MHz
Kapasitansi output			195		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		4.1		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		17.8		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2.2  Ω, ID=10 A
Waktu kenaikan	tr		3.9		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		33.5		ns
Waktu turun	tf		3.2		ns

Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		19.8		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=8 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		2.4		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		5.3		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.2		V

Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=8 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		50.2		ns	VR=50 V, IS=8 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		95.1		NC
Arus  pemulihan balik puncak	Irrm		2.5		A

Catatan
1)   menghitung arus kontinu  berdasarkan    suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.  2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh  temperatur persimpangan maks.
3)   Pd   tergantung  pada suhu persimpangan maks. , menggunakan persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)     nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan 2oz.  Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25  C.
5)    VDD=30 V,VGS=10 V,  L=0.3  MH, memulai  Tj=25  SBP