Certification: | RoHS, ISO |
---|---|
Shape: | Metal Porcelain Tube |
Shielding Type: | Sharp Cutoff Shielding Tube |
Cooling Method: | Air Cooled Tube |
Function: | Switch Transistor |
Working Frequency: | High Frequency |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
SFGMOS® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang akan mencapai RDS rendah (ON), rendah gate, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa. Seri Vth yang rendah dirancang khusus untuk menggunakan sistem daya sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.
Deskripsi Umum
SFGMOS® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang akan mencapai RDS rendah (ON), rendah gate, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa. Seri Vth yang tinggi dioptimalkan khusus untuk sistem yang tinggi dengan tegangan penggerak gerbang lebih dari 10 V. Fitur . RDS RENDAH(ON) & FOM . Pengalihan alat ini sangat rendah . Stabilitas dan keseragaman unggul . Perpindahan cepat dan pemulihan lunak Aplikasi . Catu daya mode alih . Penggerak motor . Perlindungan baterai . Konverter DC-DC . Inverter surya . UPS dan inverter energi Parameter Kinerja Utama
Menandai Informasi
Informasi paket & pin Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
Karakteristik termal
Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain
Karakteristik dinamis
Karakteristik pengisian gerbang
Karakteristik body
Catatan 1) menghitung arus kontinu berdasarkan suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan. 2) Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks. 3) Pd tergantung pada suhu persimpangan maks. , menggunakan persimpangan dan ketahanan termal kasus. 4) nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 1 in2 FR-4 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C. 5) VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, memulai Tj=25 SBP |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Nama Produk | Paket | Tanda |
SFG15N10DF | TO252 | SFG15N10D |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Tegangan sumber pengurasan | VDS | 100 | V |
Tegangan sumber gerbang | VGS | ±20 | V |
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini) , TC=SBP 25 | ID | 15 | A |
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C. | ID, Pulse | 45 | A |
Diode kontinu maju rcurrenc1) , TC=25 SBP | ADALAH | 15 | A |
Up diode berdenyut 2) , TC=25 SBP | ADALAH , Denyut | 45 | A |
Pembangkang power terhadap 310) , TC= SBP 25 | PD | 36 | W |
Energi tunggal pulsed maka (pulsed). | EAS | 5.5 | J |
Suhu pengoperasian dan penyimpanan | Tstg , Tj | -55 hingga 150 | SBP |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Tahan termal, selubung persambungan | RθJC | 3.5 | SBP C/W |
Tahan termal, sambungan ambi4) | RθJA | 62 | SBP C/W |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Pengurasan sumber tegangan kerusakan |
BVDSS | 100 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
Ambang batas gerbang tegangan |
VGS (th) | 1.2 | 2.5 | V | VDS=VGS, ID=250 ΜA | |
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan |
RDS(ON) | 50 | 75 | mΩ | VGS=10 V, ID=5 A | |
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan |
RDS(ON) | 60 | 90 | mΩ | VGS=4.5 V, ID=3 A | |
Sumber-gerbang kebocoran arus |
IGSS |
100 | Tidak tersedia |
VGS=20 V | ||
-100 | VGS=-20 V | |||||
Pengurasan sumber kebocoran arus |
IDS | 1 | μA | VDS=100 V, VGS=0 V | ||
Resistansi gerbang | RG | 28.8 | Ω | ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Kapasitansi input | Swiss | 310 | PF | VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz |
||
Kapasitansi output | 171 | PF | ||||
Kapasitansi transfer mundur | Lumut | 16.7 | PF | |||
Aktifkan waktu tunda | td(on) | 14 | ns | VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2 Ω, ID=5 A |
||
Waktu kenaikan | tr | 3.2 | ns | |||
Waktu tunda nonaktifkan | td(off) | 36 | ns | |||
Waktu turun | tf | 14 | ns |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Total muatan gerbang | QG | 6.5 | NC | VGS=10 V, VDS=50 V, ID=5 A |
||
Pengisian sumber-gerbang | Pg | 1.4 | NC | |||
Pengisian daya kuras gerbang | Qgd | 1.4 | NC | |||
Tegangan Plateau gerbang | Dataran tinggi | 3.3 | V |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Tegangan maju diode | VSD | 1.3 | V | IS=7 A, VGS=0 V |
||
Waktu pemulihan mundur | trr | 36 | ns | VR=50 V, IS=5 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Pengisian daya pemulihan mundur | Qrr | 37 | NC | |||
Arus pemulihan balik puncak | Irrm | 1.7 | A |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi