Mode Peningkatan transistor To247 Ost60n65hmf Vces-6V PerTemur175, IC, Denyut-240A Vce (SAT) -1.6V QG-104nc N-Channel Power IGBT

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: TO247 OST60N65HMF
• Structure: Diffusion
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35*37*35
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
OST60N65HMF  menggunakan        teknologi Oriental-Semi yang dipatenkan Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM)   untuk    menyediakan         VCE(SAT) yang sangat rendah,       pengisian daya gapura rendah,   dan       kinerja peralihan yang sangat baik.   Perangkat   ini cocok  untuk        konverter frekuensi pengalihan kisaran sedang ke tinggi.



Fitur
        Teknologi TGBTTM tingkat lanjut
       Konduksi dan    hilangnya sakelar sangat bagus
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul
          Diode cepat dan paralel lembut



Aplikasi
       Konverter induksi
      Catu daya tak terputus   



  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VCES,  MIN  @ 25 SBP C	650	V
Suhu persimpangan maksimum	175	SBP
IC, pulsa	240	A
VCE(SAT), ttp  @ VGE=15  V	1.6	V
QG	104	NC

  Absolut Maksimum Peringkat  pada  Tvj=25 SBP  kecuali   jika dinyatakan sebaliknya

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan emitter pengumpul	VCES	650	V
Tegangan emitter gerbang	BIAYA	±20	V
Voltase pemancar gerbang sementara, TP≤10 µs, D<0.01		±30	V
Pengumpul kontinu  rumen1) , TC=SBP 25	IC	85	A
Pengumpul kontinu  rumen1) , TC=SBP 100		60	A
Pengumpul Pulsed currenc2 ) , TC=25 SBP	IC, pulsa	240	A
Diode  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	JIKA	85	A
Diode  maju rcurrenc1 ) , TC=100 SBP		60	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	JIKA  pulsa	240	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	375	W
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 100		150	W
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg, Tvj	-55 hingga 175	SBP
Waktu tahan hubung-singkat VGE  =15 V, VCC≤400  V  Jumlah    hubung-singkat yang diizinkan<1000 Waktu  antara   hubung-singkat:≥1.0  S. Tvj  =150 SBP	SC	10	μs

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan panas IGBT, kotak sambungan	RθJC	0.4	SBP C/W
Tahan termal diode, kotak sambungan	RθJC	0.38	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	40	SBP C/W

 Karakteristik kelistrikan  pada  Tvj=25 SBP  kecuali   ditentukan sebaliknya

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan kerusakan pengumpul-emitter	V(BR)CES	650			V	VGE  =0  V, IC  =0.5 MA
Tegangan saturasi pengumpul emitter	VCE(SAT)		1.6	2.0	V	VGE  =15 V, IC=60 A Tvj=25 SBP
			1.8		V	VGE  =15 V, IC=60 A, Tvj=125 SBP
			1.9			VGE  =15 V, IC=60 A, Tvj=175 SBP
Tegangan ambang batas pemancar-gerbang	VGE(th) [TH]	3.5	4.5	5.5	V	VCE  =VGE , ID =0.5 MA
Diode  maju tegangan	VF		1.5	1.8	V	VGE  =0  V, JIKA  =60 A Tvj=25 SBP
			1.4			VGE  =0  V, JIKA  =60 A, Tvj=125 SBP
			1.3			VGE  =0  V, JIKA  =60 A, Tvj=175 SBP
Pemancar-emitter kebocoran  arus	BIAYA			100	Tidak tersedia	VCE  =0 V, VGE=20  V
Nol    arus pengumpul tegangan gerbang	ICES			10	μA	VCE  =650 V, VGE  =0 V

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		104		NC	VGE  =15 V, VCC=520 V, IC=60  A
Pemancar-emitter  mengisi daya	Qe		46		NC
Pengisian pengumpul gerbang	Qgc		16		NC

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Diode  membalik   waktu pemulihan	trr		109		ns	VR=400 V, JIKA=60 A,  SBP/dt=500 A/μs Tvj =25 SBP
Diode    membalik pengisian pemulihan	Qrr		1.21		μC
Arus pemulihan mundur puncak diode	Irrm		19.8		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)     nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada   4 in FR persegi 1 board  dengan 2oz.  Tembaga,  dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.



Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tabung	Tabung/   kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO247-J	30	20	600	5	3000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OST60N65HMF	TO247	ya	ya	ya

 

Chian Suplai




Deklarasi Produk Hijau