Peningkatan transistor Sfs10r013utnf Vd-100 ID-1200A RDS (ON) -1.3miliohm QG-151,5 C. Untuk regulator Tegangan Sakelar N-Saluran Daya Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: SFS10R013UTNF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35cmx30cmx37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
FSMOS®    MOSFET     didasarkan        pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor  yang  mencapai   RDS rendah(ON),   LOW gate Charge, fast  switching  dan    karakteristik longsor yang luar biasa.    Seri Vth yang tinggi   dirancang khusus   untuk digunakan     dalam sistem kontrol motor  dengan   voltase penggerak   lebih dari  10V .



Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Keandalan  dan  keseragaman luar biasa
       Perpindahan cepat  dan   pemulihan lunak


Aplikasi
       Pengisi daya PD
       Penggerak motor
        Regulator tegangan pengalihan
       Konverter DC-DC
      Mengalihkan    catu daya mode



  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS	100	V
ID,  Pulse	1200	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	1.3	mΩ
QG	151.5	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	100	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	400	A
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	1200	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	400	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	1200	A
Pembangkang power terhadap 310), TC=SBP 25	PD	650	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	540	J
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 175	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.23	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	100			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2		4	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Pengurasan sumber  resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		1.05	1.3	mΩ	VGS  =10 V, ID=15 A
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS  =100 V, VGS  =0 V
Resistansi gerbang	RG		0.98		Ω	ƒ=1 MHz,  Buka saluran pembuangan

,


 Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		9950		PF	VGS  =0  V, VDS  =25 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			5510		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Lumut		379		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		25		ns	VGS  =10 V, VDS  =50 V, RG=2 Ω, ID=25  A
Waktu kenaikan	tr		23		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		65		ns
Waktu turun	tf		30		ns

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		151.5		NC	VGS  =10 V, VDS  =50 V, ID=25  A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		33.5		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		33.7		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.7		V

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=30 A, VGS  =0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		1 12		ns	VR=50 V, IS=25 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		329		NC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		4.8		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang    pada 1 in2 FR-4 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0.3 MH, memulai  Tj  =25 SBP




 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau