Energi matahari/UPS Toll Iss60r099TF Vd-650V ID-90A RDS (ON) -99ohm QG-21,6nc Enhancement Mode Transistor N-Channel Power Mosfet

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Subminiature
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: TOLL OSS60R099TF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
 Seri GreenMOS® Supergy     didasarkan       pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor  untuk mencapai     karakteristik peralihan yang sangat cepat.     Tempat ini merupakan pengganti     yang sempurna untuk perangkat Gallium NitRide Ride (GN)     dalam pengoperasian frekuensi tinggi  dengan   kekokohan  dan  biaya yang lebih baik.   Sistem          catu daya tersebut ditargetkan memenuhi standar efisiensi yang paling agresif   dengan  mendorong   kinerja dan   kerapatan daya  ke   batas yang ekstrem  .


Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul


Aplikasi
       Daya PC
       Lampu LED
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
      Solar/UPS



  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	650	V
ID,  Pulse	90	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	99	mΩ
QG	21.6	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	30	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		19
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	90	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	30	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	90	A
Pembangkang power terhadap 310), TC=SBP 25	PD	219	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	577.6	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.57	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62.5	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
		650	740			VGS  =0 V, ID  =250 μA, Tj  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.080	0.099	Ω	VGS  =10 V, ID=15 A
			0.192			VGS  =10 V, ID=15 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS  =600 V, VGS  =0 V

  Karakteristik muatan gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		21.6		NC	VGS  =10 V, VDS  =400 V, ID=20  A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		6.9		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		7.8		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.5		V

  Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.4	V	IS=30 A, VGS  =0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		416.0		ns	VR =400V, IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		6.8		μC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		32.1		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang    pada 1 in2 FR-4 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=60 MH, memulai  Tj  =25 SBP


Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tarik	Kumpulan Foto/    kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TOLL-S	2000	1	2000	7	14000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSS60R099TF	BERBAYAR	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau