Certification: | RoHS, ISO |
---|---|
Shape: | Metal Porcelain Tube |
Shielding Type: | Sharp Cutoff Shielding Tube |
Cooling Method: | Air Cooled Tube |
Function: | Switch Transistor |
Working Frequency: | High Frequency |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Deskripsi Umum
GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Generic dioptimalkan untuk performa switching ekstrem guna meminimalkan kerugian saat switch. Sistem ini dirancang untuk aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi guna memenuhi standar efisiensi yang tertinggi.
Fitur
RDS RENDAH(ON) & FOM
Pengalihan alat ini sangat rendah
Stabilitas dan keseragaman unggul
Aplikasi
Daya PC
Lampu LED
Tenaga Telecom
Server Power
Pengisi Daya EV
Solar/UPS
Parameter Kinerja Utama
Parameter | Nilai | Satuan |
VDS, min @ Tj(maks) | 960 | V |
ID, Pulse | 15 | A |
RDS(ON), MAKS @ VGS =10V | 1.2 | Ω |
QG | 12.5 | NC |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Kuras tegangan sumber | VDS | 900 | V |
Tegangan sumber-gerbang | VGS | ±30 | V |
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini) , TC=SBP 25 | ID |
5 | A |
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini) , TC=SBP 100 | 3.2 | ||
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C. | ID, Pulse | 15 | A |
Diode kontinu maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP | ADALAH | 5 | A |
Up diode berdenyut 2) , TC=25 SBP | ADALAH, Pulse | 15 | A |
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25 | PD | 83 | W |
Energi tunggal pulsed maka (pulsed). | EAS | 193 | J |
/dt ketangguhan, =0...480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
diode mundur dv/dt, VDS =0... 480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
Suhu pengoperasian dan penyimpanan | Tstg , Tj | -55 hingga 150 | SBP |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Kuras tegangan kerusakan sumber | BVDSS |
900 | V |
VGS =0 V, ID =250 ΜA | ||
960 | 1070 | VGS =0 V, ID =250 μA, Tj =150 SBP | ||||
Ambang batas gerbang tegangan |
VGS (th) | 2.0 | 4.0 | V | VDS =VGS , ID =250 ΜA | |
Kuras resistan pada kondisi sumber | RDS(ON) |
1.0 | 1.2 | Ω |
VGS =10 V, ID=2 A | |
2.88 | VGS =10 V, ID=2 A, TJ =150 SBP |
|||||
Sumber-gerbang kebocoran arus |
IGSS |
100 | Tidak tersedia |
VGS =30 V | ||
- 100 | VGS =-30 V | |||||
Pengurasan sumber kebocoran arus |
IDS | 10 | μA | VDS =900 V, VGS =0 V |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Total muatan gerbang | QG | 12.5 | NC | VGS =10 V, VDS =400 V, ID=5 A |
||
Pengisian sumber-gerbang | Pg | 3.8 | NC | |||
Pengisian daya kuras gerbang | Qgd | 4.3 | NC | |||
Tegangan Plateau gerbang | Dataran tinggi | 5.8 | V |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Tegangan maju diode | VSD | 1.3 | V | IS=5 A, VGS =0 V |
||
Waktu pemulihan mundur | trr | 265.9 | ns | VR =400 V, IS=5 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Pengisian daya pemulihan mundur | Qrr | 2.9 | μC | |||
Arus pemulihan balik puncak | Irrm | 19.5 | A |
Paket Tipe |
Satuan/ Tarik |
Kumpulan Foto/ kotak dalam | Satuan/ kotak dalam | Kotak dalam/ kotak karton | Unit/ kotak karton |
-C | 800 | 1 | 800 | 5 | 4000 |
Produk | Paket | Pb Bebas | RoHS | Bebas Halogen |
OSG90R1K2KF | ya | ya | ya |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi