Transistor Enhancement Mode Tosik262 Os65r380jika Vds-700V ID-33A RDS (ON) -380 Millohm QG-12,5nc untuk Lampu LED PC Daya N-Saluran Power Mosfet

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: TO262 OSG65R380IF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
      Seri GreenMOS® Generic     dioptimalkan   untuk       performa switching ekstrem   guna   meminimalkan   kerugian saat switch.  Sistem ini    dirancang  untuk       aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi    guna memenuhi      standar efisiensi yang tertinggi.
Fitur
       RDS rendah(ON) & FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi
       Daya PC
       Lampu LED
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
      Solar/UPS
  Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	700	V
ID,  Pulse	33	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	380	mΩ
QG	12.5	NC

Menandai  Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG65R380IF	TO262	OSG65R380I

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	11	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		7
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	33	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	11	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	33	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	83	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	200	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.5	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
		700	770			VGS  =0 V, ID  =250 μA, Tj  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.35	0.38	Ω	VGS  =10 V, ID=5.5  A
			0.89			VGS  =10 V, ID=5.5 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS  =650 V, VGS  =0 V

 Karakteristik dinamis
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		743.4		PF	VGS  =0  V, VDS  =50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			63.3		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Lumut		6.0		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		20.3		ns	VGS  =10 V, VDS  =400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Waktu kenaikan	tr		5.4		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		29.5		ns
Waktu turun	tf		4.4		ns

  Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		12.5		NC	VGS  =10 V, VDS  =400 V, ID=6 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		3.2		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		4.8		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.7		V

  Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=11 A, VGS  =0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		228.6		ns	IS=6 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		2.3		μC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		20.4		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=80 MH, memulai  Tj  =25 SBP

Informasi pemesanan  
 

Paket Tipe	Satuan/ Tabung	Tabung/   kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO262-C	50	20	1000	6	6000

 Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG65R380IF	TO262	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau