Peningkatan transistor To252 Sf06fdf Vd-60V ID-210A RDS (ON) -6miliohm QG-30nc Untuk Mode dengan Sakelar Mode Daya pengisi Daya Pd pengisi Daya Saluran N Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO252 SFS06R06DF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x37x30cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

FSMOS^® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang mencapai RDS rendah_(ON), LOW gate Charge, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa.  Seri Vth yang rendah dirancang khusus untuk menggunakan sistem daya sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.
 

Fitur

• RDS RENDAH_(ON) &  FOM
•  Pengalihan alat ini sangat rendah
• Keandalan dan  keseragaman luar biasa
• Perpindahan cepat dan  pemulihan lunak

 

Aplikasi

•  Pengisi daya PD
•  Penggerak motor
• Regulator tegangan pengalihan
•  Konverter DC-DC
•  Catu daya mode alih

 

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	60	V
ID, Pulse	210	A
RDS(ON) MAKS @ VGS=10V	6	mΩ
QG	30	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
SFS06R01.6DF	TO252

 

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	60	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	70	A
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	210	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	70	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Denyut	210	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	87	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	66	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg,Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.44	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4^)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	60			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	1.0		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		4.7	6	mΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		6.4	10	mΩ	VGS=4.5 V, ID=10 A
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=60 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.8		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

 

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		2136		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			332		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		10.6		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		22.9		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2 Ω, ID=25 A
Waktu kenaikan	tr		6.5		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		45.7		ns
Waktu turun	tf		20.4		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		30		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=25 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		5.8		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		6.1		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.6		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=20 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		50.3		ns	VR=50 V, IS=25 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		45.1		NC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		1.5		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan  temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh  temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan  resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25  C.

Informasi Produk

Produk	Paket	Pb Bebas	RoHS	Bebas Halogen
SFS06R01.6DF	TO252	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau