Transistor Enhancement Mode To247 Osg65r200hf Vds-700V ID-60A RDS (ON) -200miliohm QG-24,8nc untuk pencahayaan LED PC Daya N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO247 OSG65R200HF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.    Alat ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh .
      Seri GreenMOS® Generic     dioptimalkan  untuk      performa switching ekstrem   guna   meminimalkan   kerugian switching .  Sistem ini   disesuaikan untuk      aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi    guna memenuhi     standar efisiensi yang tertinggi .

Fitur
       RDS rendah(ON) & FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi
       Daya PC
       Lampu LED
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
      Solar/UPS


  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	700	V
ID, Pulse	60	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS=10V	200	mΩ
QG	24.8	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	20	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		12.5
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID, Pulse	60	A
Diode kontinu maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	20	A
Up diode berdenyut 2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	60	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	151	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	600	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  ,  Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.82	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj=25 o C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras          tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0  V, ID=250 UA
		700	774			VGS=0 V, ID=250 a, Tj=150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 U A
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.16	0.2	Ω	VGS=10  V, ID=10 A
			0.42			VGS=10 V, ID=10 A, TJ=150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS=650 V, VGS=0 V

 Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		1433		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			92.5		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		3.9		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		40.1		ns	VGS=10 V, VDS=520 V, RG=25 Ω, ID=20 A
Waktu kenaikan	tr		49.8		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		57.3		ns
Waktu turun	tf		63.7		ns

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		24.8		NC	VGS=10 V, VDS=520 V, ID=20 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		7.2		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		8.2		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.6		V

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan     suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)     nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5)    VDD=150 V, VGS=10 V, L=10.8 MH, memulai  Tj=25 SBP

Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tabung	Tabung/   kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO247-J	30	20	600	5	3000
TO247-P	30	11	330	6	1980

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG65R200HF	TO247	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau