Peningkatan transistor T220f Osg65r290FF Vds-700V ID-45A RDS (ON) -290johm QG-18nc Untuk pengisi Daya Listrik Server EV Solar/UPS N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO220F OSG65R290FF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
      Seri GreenMOS® Generic     dioptimalkan   untuk       performa switching ekstrem   guna   meminimalkan   kerugian saat switch.  Sistem ini    dirancang  untuk       aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi    guna memenuhi      standar efisiensi yang tertinggi.

Fitur
       RDS rendah(ON) & FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi
       Daya PC
       Lampu LED
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
      Solar/UPS

  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	700	V
ID,  Pulse	45	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	290	mΩ
QG	18	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	15	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		9.3
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	45	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	15	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	45	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	32	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	400	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
		700	770			VGS  =0 V, ID  =250 μA, Tj  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.26	0.29	Ω	VGS  =10 V, ID=7.5  A
			0.68			VGS  =10 V, ID=7.5 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS  =650 V, VGS  =0 V

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=20 MH, memulai  Tj  =25 SBP

Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tabung	Tabung/   kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO220F-C	50	20	1000	6	6000

 Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG65R290FF	TO220F	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau