PC Power Telecom Power E T220f Osg65r140fszf Vds-700V ID-75A RDS (AKTIF) -140ohm QG-55.2nc Transistor NhKemajuan Mode N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO220F OSG65R140FSZF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
  Seri GreenMOS® Z   diintegrasikan  dengan    fast recovery diode (FRD) untuk  meminimalkan   waktu pemulihan mundur.    Cocok   untuk   topologi switching yang resonan   untuk mencapai   efisiensi yang lebih tinggi,  keandalan yang lebih tinggi,    dan faktor bentuk yang lebih kecil.


Fitur
       RDS rendah(ON) & FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul
          Diode bak yang ultra cepat dan kokoh


Aplikasi
       Daya PC
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
       Penggerak motor


  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	700	V
ID,  Pulse	75	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	140	mΩ
QG	55.2	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	25	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		16
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	75	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	25	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	75	A
Pembangkang power terhadap 3X,TC=SBP 25	PD	34	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	1000	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	3.7	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62.5	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS  =0 V, ID  =1 MA
		700	750			VGS  =0 V, ID  =1 MA, TJ  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	3.0		4.5	V	VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.12	0.14	Ω	VGS  =10 V, ID=12.5  A
			0.30			VGS  =10 V, ID=12.5 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			10	μA	VDS  =650 V, VGS  =0 V
Resistansi gerbang	RG		16.7		Ω	ƒ= 1 MHz,  Buka saluran pembuangan

 Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		2855.4		PF	VGS  =0  V, VDS  =50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			151.1		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Lumut		7.7		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		56.3		ns	VGS  =10 V, VDS  =400 V, RG=2 Ω, ID=16  A
Waktu kenaikan	tr		68.8		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		108.5		ns
Waktu turun	tf		31.6		ns

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		55.2		NC	VGS  =10 V, VDS  =400 V, ID=16  A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		13.7		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		24.0		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.8		V

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=25 A, VGS  =0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		126.0		ns	IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		0.7		μC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		10.6		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=60 MH, memulai  Tj  =25 SBP



Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau