Super Enhancement Mode N-Channelpower Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: SFG15N10DF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Transistor ber. Plastik
• Tingkat Daya: Daya sedang
• Material: Silikon
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• tipe: stasiun pengisian daya ev cepat
• garansi: 24 bulan
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: TO247
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20K/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

SFGMOS®   MOSFET   didasarkan pada       desain perangkat unik Oriental Semiconductor   yang akan mencapai   RDS rendah (ON),   rendah gate,  fast switching dan   karakteristik longsor yang luar biasa.     Seri Vth yang rendah   dirancang khusus  untuk menggunakan   sistem daya sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.

Fitur
.   RDS RENDAH(ON)  &  FOM
.    Pengalihan alat ini sangat rendah
.   Keandalan  dan  keseragaman luar biasa
.  Perpindahan cepat dan  pemulihan lunak

Aplikasi
.   Pengisi daya PD
.   Penggerak motor
.   Regulator tegangan pengalihan
.   Konverter DC-DC
.    Catu daya mode alih

 Parameter Kinerja Utama
 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS,  min  @ Tj(maks)	100	V
ID,  Pulse	45	A
RDS(ON)  MAKS @ VGS=10V	75	mΩ
QG	6.5	NC

Menandai Informasi

Nama Produk	Paket	Tanda
SFG15N10DF	TO252	SFG15N10D

 Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C  kecuali  dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	100	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini)  , TC=SBP 25	ID	15	A
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	45	A
Diode kontinu maju rcurrenc1)  , TC=25 SBP	ADALAH	15	A
Up diode  berdenyut 2)  , TC=25  SBP	ADALAH , Denyut	45	A
Pembangkang power terhadap 310)  , TC= SBP 25	PD	36	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	5.5	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg , Tj	-55 hingga   150	SBP

Karakteristik termal

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	3.5	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C  kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Pengurasan sumber tegangan kerusakan	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	1.2		2.5	V	VDS=VGS,  ID=250  ΜA
Pengurasan sumber  resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		50	75	mΩ	VGS=10 V,  ID=5 A
Pengurasan sumber  resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		60	90	mΩ	VGS=4.5 V,  ID=3 A
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS=100 V, VGS=0  V
Resistansi gerbang	RG		28.8		Ω	ƒ=1  MHz,  Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		310		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			171		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		16.7		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		14		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2  Ω, ID=5  A
Waktu kenaikan	tr		3.2		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		36		ns
Waktu turun	tf		14		ns

Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		6.5		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=5  A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		1.4		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		1.4		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.3		V

Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=7  A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		36		ns	VR=50 V, IS=5  A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		37		NC
Arus  pemulihan balik puncak	Irrm		1.7		A

Catatan
1)   menghitung  arus kontinu  berdasarkan suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.  2)   Peringkat berulang;   lebar pulsa  dibatasi  oleh  temperatur persimpangan maks.
3)   Pd  tergantung  pada suhu persimpangan maks. , menggunakan  persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)   nilai RθJA   diukur dengan   perangkat  yang dipasang   pada   4 in 2 FR-1  board dengan 2oz.  Tembaga,  dalam lingkungan yang masih sama  dengan Ta=25  C.
5)   VDD=30 V,VGS=10 V,  L=0.3  MH,  memulai Tj=25  SBP