Konverter AUX Flyback RoHS satu Switch Opologi Og90r1K2jika T262 Daya Tegangan Tinggi Mosfet

• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• tipe: stasiun pengisian daya ev cepat
• sertifikasi: ISO, TUV, RoHS
• Tidak. Model.: Osg90r1K2if To262
• garansi: 24 bulan
• Paket Transportasi: Air
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20kkkk/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum
OSG90R1K2xF menggunakan teknologi GreenMOSTM yang canggih untuk menyediakan RDS (ON) yang rendah, harga gerbang yang rendah, switching cepat dan karakteristik longsor yang sangat baik. Perangkat ini sesuai untuk koreksi faktor daya aktif dan aplikasi catu daya mode pindah.


Fitur                                         Aplikasi

1. RDS rendah(ON) &                                              Lampu FOM
2.                               PWM ganti keras peralihan yang sangat rendah
3. Stabilitas dan keseragaman unggul               Catu daya server
4. Mudah mengemudi                              Pengisi daya

Parameter Kinerja Utama
 

1. 1. Peringkat maksimal mutlak pada Tj=25 kecuali dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	900	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurup1^), TC=25	ID	5	A
Aliran pengurup1^), TC=100		3.2
Aliran Pulsed pengura2^), TC=25	ID, Pulse	15	A
Power aiction3) untuk TO251, TO262, TC=25	PD	83	W
Power a3^) untuk TO220F, TC=25		31
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	211	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg,Tj	-55 hingga 150

 

 

1. &bsp; karakteristik Termal

 

Parameter	Simbol	Nilai		Satuan
		TO251/TO262	TO220F
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.5	4.0	/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	62.5	/W

1. Karakteristik listrik pada Tj=25 C kecuali jika ditentukan lain

 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		960	1070			VGS=0 V, ID=250 ΜA, TJ=150
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Kuras resistan pada status sumber	RDS(ON)		1.0	1.2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2.88			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			10	μA	VDS=900 V, VGS=0 V

1. Karakteristik dinamis

 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		874.2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, f=100 kHz
Kapasitansi output			37.5		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		1.7		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		33.23		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Waktu kenaikan	tr		26.50		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		44.00		ns
Waktu turun	tf		17.63		ns

 

 

1. Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		12.50		NC	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V
Pengisian sumber-gerbang	Pg		3.75		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		4.28		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.8		V

1. Karakteristik body

 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Arus maju diode	ADALAH			5	A	VGS<Vth
Arus sumber pulsa	ISP			15
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=5 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		265.87		ns	VR=400 V, IS=5 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		2.88		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		19.51		A

1. Catatan

 

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 4 in 2 FR-1 board dengan 2oz. Tembaga, di lingkungan yang tenang dengan Ta=25.
5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 MH, memulai Tj=25.

Menandai Informasi
 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	240	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	80	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	240	A
Pembangkang power terhadap 3X ,TC= SBP 25	PD	500	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	2900	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	100	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.25	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			10	μA	VDS=650 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.1		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			486		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		12.8		PF
Kapasitansi output efektif, dan berkaitan dengan energi	Co		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Kapasitansi output efektif, berkaitan dengan waktu	Co(tr)		1477		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		55.9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		121.2		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		114.2		ns
Waktu turun	tf		8.75		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		40.1		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		76.1		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.4		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		180		ns	IS=30 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1.5		UC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		15.2		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 4 in 2 FR-1 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 MH, memulai Tj=25 C.