Mode Peningkatan transistor N-Channel Power Mosfet T252 Os80risdf Vds-850V ID-24A RDS (ON) -650milohm QG-12.1nc untuk Daya Telecom Power Server

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO252 OSG80R650DF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
      Seri GreenMOS® Generic     dioptimalkan   untuk       performa switching ekstrem   guna   meminimalkan   kerugian saat switch.  Sistem ini    dirancang  untuk       aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi     guna memenuhi      standar efisiensi yang tertinggi.

Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi
       Daya PC
       Lampu LED
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
      Solar/UPS

  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	850	V
ID,  Pulse	24	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	650	mΩ
QG	12. 1	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	800	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	8	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		5
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	24	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	8	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	24	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	83	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	240	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.5	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	800			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
		850	930			VGS  =0 V, ID  =250 μA, Tj  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.55	0.65	Ω	VGS  =10 V, ID=4  A
			1.48			VGS  =10 V, ID=4 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			10	μA	VDS  =800 V, VGS  =0 V

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=20 MH, memulai  Tj  =25 SBP


Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tarik	Kumpulan Foto/    kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO252-C	2500	2	5000	5	25000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG80R650DF	TO252	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau