Power Supply Mode ForSwitched bagian pengisian daya Pdfn5*6 Sf06r013ugf Vds-60V ID-520A RDS (ON) -1.6miliohm QG-83,6nc Transistor Mode N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: PDFN5*6 SFS06R013UGF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

FSMOS® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang mencapai RDS rendah(ON), LOW gate Charge, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa. Seri Vth yang rendah dioptimalkan secara khusus untuk sistem sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.

 

Fitur

• RDS RENDAH(ON) &  FOM
•  Pengalihan alat ini sangat rendah
• Keandalan dan  keseragaman luar biasa
• Perpindahan cepat dan  pemulihan lunak

 

Aplikasi

•  Pengisi daya PD
•  Penggerak motor
• Regulator tegangan pengalihan
•  Konverter DC-DC
•  Catu daya mode alih

 

Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	60	V
ID, Pulse	520	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	1.6	mΩ
QG	83.6	NC

Menandai Informasi
 

Nama Produk	Paket	Tanda
	PDFN5*6

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	60	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 25	ID	130	A
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	520	A
Diode kontinu maju rcurrenc1), TC=25	ADALAH	130	A
Up diode berdenyut 2), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	520	A
Pembangkang power terhadap 310), TC=SBP 25	PD	140	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	155	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.89	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	60			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	1.5		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		1.35	1.6	mΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		2.1	3.0	mΩ	VGS=4.5 V, ID=20 A
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=60 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.5		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

 

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		5162		PF	VGS=0 V, VDS=25  V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			2549		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		105		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		19.6		ns	VGS=10 V, VDS=30 V, RG=2 Ω, ID=30 A
Waktu kenaikan	tr		34.6		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		68.3		ns
Waktu turun	tf		24.4		ns

Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		83.6		NC	VGS=10 V, VDS=30 V, ID=30 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		14.6		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		16.6		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.2		V

Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=20 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		58.1		ns	VR=30 V, IS=30 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		55.1		NC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		1.6		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan  temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh  temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan  resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25  C.
5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, memulai Tj=25 C.

 

 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau